有色金属（冶炼部分）
有色金屬（冶煉部分）
유색금속（야련부분）
Nonferrous Metals(Extractive Metallurgy)
2015年
5期
66-70
,共5页
张跃宏%李亚琼%李斌川%郭瑞
張躍宏%李亞瓊%李斌川%郭瑞
장약굉%리아경%리빈천%곽서
离子液体%电沉积%硅
離子液體%電沉積%硅
리자액체%전침적%규
ionic liquid%electro-deposition%silicon
研究了硅在SiCl4/TMAC-PC体系中的阴极沉积过程,分析了电解质体系的热稳定性和电导率,研究电流密度、温度等因素对沉积层表面形貌的影响.结果表明,SiCl4的加入使得TMAC-PC体系热稳定性增强,电解质的电导率随温度的升高而增大,在318 K、c(SiCl4) =0.5 mol/L、电流密度i=15 A/m2、电沉积时间3h条件下得到的沉积层致密,呈球形颗粒状.
研究瞭硅在SiCl4/TMAC-PC體繫中的陰極沉積過程,分析瞭電解質體繫的熱穩定性和電導率,研究電流密度、溫度等因素對沉積層錶麵形貌的影響.結果錶明,SiCl4的加入使得TMAC-PC體繫熱穩定性增彊,電解質的電導率隨溫度的升高而增大,在318 K、c(SiCl4) =0.5 mol/L、電流密度i=15 A/m2、電沉積時間3h條件下得到的沉積層緻密,呈毬形顆粒狀.
연구료규재SiCl4/TMAC-PC체계중적음겁침적과정,분석료전해질체계적열은정성화전도솔,연구전류밀도、온도등인소대침적층표면형모적영향.결과표명,SiCl4적가입사득TMAC-PC체계열은정성증강,전해질적전도솔수온도적승고이증대,재318 K、c(SiCl4) =0.5 mol/L、전류밀도i=15 A/m2、전침적시간3h조건하득도적침적층치밀,정구형과립상.
