核电子学与探测技术
覈電子學與探測技術
핵전자학여탐측기술
Nuclear Electronics & Detection Technology
2015年
5期
443-447
,共5页
刘刚%江晓山%龚达涛%刘天宽%叶竞波%樊磊%赵京伟
劉剛%江曉山%龔達濤%劉天寬%葉競波%樊磊%趙京偉
류강%강효산%공체도%류천관%협경파%번뢰%조경위
Silicon-On-Sapphire%并串转换%CML%jitter
Silicon-On-Sapphire%併串轉換%CML%jitter
Silicon-On-Sapphire%병천전환%CML%jitter
Silicon-On-Sapphire%serialize%CML%jitter
本文介绍了一种用于粒子物理实验的抗辐照高速并串转换电路芯片的设计,重点介绍了SOS抗辐照工艺,并串转换电路的结构.实现了一款基于SOS 0.25um工艺的8位5.12Gbps并串转换芯片,测试得到芯片的总晃动(total jitter)=53.20ps,其中随机晃动(random jitter)=1.84ps,确定性晃动(deterministic jitter)=33.93ps.
本文介紹瞭一種用于粒子物理實驗的抗輻照高速併串轉換電路芯片的設計,重點介紹瞭SOS抗輻照工藝,併串轉換電路的結構.實現瞭一款基于SOS 0.25um工藝的8位5.12Gbps併串轉換芯片,測試得到芯片的總晃動(total jitter)=53.20ps,其中隨機晃動(random jitter)=1.84ps,確定性晃動(deterministic jitter)=33.93ps.
본문개소료일충용우입자물리실험적항복조고속병천전환전로심편적설계,중점개소료SOS항복조공예,병천전환전로적결구.실현료일관기우SOS 0.25um공예적8위5.12Gbps병천전환심편,측시득도심편적총황동(total jitter)=53.20ps,기중수궤황동(random jitter)=1.84ps,학정성황동(deterministic jitter)=33.93ps.
