材料导报
材料導報
재료도보
Materials Review
2015年
14期
152-155
,共4页
刘佰清%洪根深%郑若成%刘国柱%敖一程%王印权
劉佰清%洪根深%鄭若成%劉國柱%敖一程%王印權
류백청%홍근심%정약성%류국주%오일정%왕인권
ONO反熔丝%TDDB%E Model%激活能%寿命模型
ONO反鎔絲%TDDB%E Model%激活能%壽命模型
ONO반용사%TDDB%E Model%격활능%수명모형
ONO antifuse%TDDB%E Model%temperature activation%lifetime model
基于1.0 μm ONO(SiO2-Si3 N4-SiO2)反熔丝CMOS工艺下的反熔丝单元器件,研究了ONO反熔丝单元器件的TDDB寿命预测模型.研究发现ONO反熔丝单元器件的温度激活能Ea与电场强度Eeff存在线性关系,证明了ONO反熔丝器件的TDDB寿命预测模型满足“E Model”;并基于TDDB可靠性实验数据分析,拟合“E Model”模型中的各个参数,建立了寿命预测模型.同时,通过建立的寿命模型预测不同批次的ONO单元器件寿命,与实测值对比发现,寿命预测模型具有较高的准确性.
基于1.0 μm ONO(SiO2-Si3 N4-SiO2)反鎔絲CMOS工藝下的反鎔絲單元器件,研究瞭ONO反鎔絲單元器件的TDDB壽命預測模型.研究髮現ONO反鎔絲單元器件的溫度激活能Ea與電場彊度Eeff存在線性關繫,證明瞭ONO反鎔絲器件的TDDB壽命預測模型滿足“E Model”;併基于TDDB可靠性實驗數據分析,擬閤“E Model”模型中的各箇參數,建立瞭壽命預測模型.同時,通過建立的壽命模型預測不同批次的ONO單元器件壽命,與實測值對比髮現,壽命預測模型具有較高的準確性.
기우1.0 μm ONO(SiO2-Si3 N4-SiO2)반용사CMOS공예하적반용사단원기건,연구료ONO반용사단원기건적TDDB수명예측모형.연구발현ONO반용사단원기건적온도격활능Ea여전장강도Eeff존재선성관계,증명료ONO반용사기건적TDDB수명예측모형만족“E Model”;병기우TDDB가고성실험수거분석,의합“E Model”모형중적각개삼수,건립료수명예측모형.동시,통과건립적수명모형예측불동비차적ONO단원기건수명,여실측치대비발현,수명예측모형구유교고적준학성.
