江南大学学报（自然科学版）
江南大學學報（自然科學版）
강남대학학보（자연과학판）
Journal of Jiangnan University(Natural Science Edition)
2015年
4期
385-389
,共5页
赵小荣%范洪辉%朱明放%傅中君%黄海军%陈鉴富
趙小榮%範洪輝%硃明放%傅中君%黃海軍%陳鑒富
조소영%범홍휘%주명방%부중군%황해군%진감부
低噪声放大器%超宽带%互补金属氧化物半导体%共栅结构
低譟聲放大器%超寬帶%互補金屬氧化物半導體%共柵結構
저조성방대기%초관대%호보금속양화물반도체%공책결구
low noise amplifier%ultra-wideband%CMOS%common-gate
设计了一种基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺的高增益,低功耗共栅结构的超宽带低噪声放大器.利用串联电阻和电感与晶体管的自身跨导共同在整个频带内实现很好的输入端匹配.电路采用ADS2009软件仿真设计.仿真结果表明,在1.8V电源供电时,整个电路功耗为15.6 mW,在3.1 ～10.6GHz的频带内噪声系数NF为1.284 5±0.340 5 dB,正向增益S21为21.451±1.5 dB,输入回波损耗均低于-15.14 dB,输出回波损耗低于-20.202 dB.
設計瞭一種基于TSMC 0.18 μm CMOS工藝的高增益,低功耗共柵結構的超寬帶低譟聲放大器.利用串聯電阻和電感與晶體管的自身跨導共同在整箇頻帶內實現很好的輸入耑匹配.電路採用ADS2009軟件倣真設計.倣真結果錶明,在1.8V電源供電時,整箇電路功耗為15.6 mW,在3.1 ～10.6GHz的頻帶內譟聲繫數NF為1.284 5±0.340 5 dB,正嚮增益S21為21.451±1.5 dB,輸入迴波損耗均低于-15.14 dB,輸齣迴波損耗低于-20.202 dB.
설계료일충기우TSMC 0.18 μm CMOS공예적고증익,저공모공책결구적초관대저조성방대기.이용천련전조화전감여정체관적자신과도공동재정개빈대내실현흔호적수입단필배.전로채용ADS2009연건방진설계.방진결과표명,재1.8V전원공전시,정개전로공모위15.6 mW,재3.1 ～10.6GHz적빈대내조성계수NF위1.284 5±0.340 5 dB,정향증익S21위21.451±1.5 dB,수입회파손모균저우-15.14 dB,수출회파손모저우-20.202 dB.
