材料导报
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재료도보
Materials Review
2015年
18期
152-155,159
,共5页
来国红%余志强%张昌华%廖红华
來國紅%餘誌彊%張昌華%廖紅華
래국홍%여지강%장창화%료홍화
第一性原理%单层二硫化钼%电子结构%光电性质
第一性原理%單層二硫化鉬%電子結構%光電性質
제일성원리%단층이류화목%전자결구%광전성질
first-principles%single-layer MoS2%electronic structure%photoelectric properties
基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了氧和硒掺杂对单层二硫化钼电子结构与光电性质的影响.结果表明,单层二硫化钼属于直接带隙半导体,其带隙宽度为1.64 eV.单层二硫化钼的价带顶主要由S-3p态电子和Mo-4d态电子构成,而其导带底则主要由Mo-4d态电子和S-3p态电子共同决定;同时通过氧和硒掺杂,使单层二硫化钼的禁带宽度变窄,光吸收特性增强,研究结果为二硫化钼在光电器件方面的应用提供了理论基础.
基于密度汎函理論的第一性原理計算,研究瞭氧和硒摻雜對單層二硫化鉬電子結構與光電性質的影響.結果錶明,單層二硫化鉬屬于直接帶隙半導體,其帶隙寬度為1.64 eV.單層二硫化鉬的價帶頂主要由S-3p態電子和Mo-4d態電子構成,而其導帶底則主要由Mo-4d態電子和S-3p態電子共同決定;同時通過氧和硒摻雜,使單層二硫化鉬的禁帶寬度變窄,光吸收特性增彊,研究結果為二硫化鉬在光電器件方麵的應用提供瞭理論基礎.
기우밀도범함이론적제일성원리계산,연구료양화서참잡대단층이류화목전자결구여광전성질적영향.결과표명,단층이류화목속우직접대극반도체,기대극관도위1.64 eV.단층이류화목적개대정주요유S-3p태전자화Mo-4d태전자구성,이기도대저칙주요유Mo-4d태전자화S-3p태전자공동결정;동시통과양화서참잡,사단층이류화목적금대관도변착,광흡수특성증강,연구결과위이류화목재광전기건방면적응용제공료이론기출.
