电子技术应用
電子技術應用
전자기술응용
Application of Electronic Technique
2015年
9期
60-62
,共3页
林俊明%郑耀华%郑瑞青%章国豪
林俊明%鄭耀華%鄭瑞青%章國豪
림준명%정요화%정서청%장국호
WCDMA%CMOS%SOI%线性功率放大器%PAE
WCDMA%CMOS%SOI%線性功率放大器%PAE
WCDMA%CMOS%SOI%선성공솔방대기%PAE
WCDMA%CMOS%SOI%linear power amplifiers%PAE
主要研究采用IBM公司SOI 0.18 μm CMOS工艺设计应用于1.95 GHz WCDMA发射机的全集成线性功率放大器的设计方法.电路采用三级AB类放大器级联结构,模拟结果显示,在工作电压为2.5 V的情况下,CMOS射频功率放大器工作稳定,1 dB压缩点输出功率约为30 dBm,增益约为28 dB,最大功率增加效率(PAE)约为42％.
主要研究採用IBM公司SOI 0.18 μm CMOS工藝設計應用于1.95 GHz WCDMA髮射機的全集成線性功率放大器的設計方法.電路採用三級AB類放大器級聯結構,模擬結果顯示,在工作電壓為2.5 V的情況下,CMOS射頻功率放大器工作穩定,1 dB壓縮點輸齣功率約為30 dBm,增益約為28 dB,最大功率增加效率(PAE)約為42％.
주요연구채용IBM공사SOI 0.18 μm CMOS공예설계응용우1.95 GHz WCDMA발사궤적전집성선성공솔방대기적설계방법.전로채용삼급AB류방대기급련결구,모의결과현시,재공작전압위2.5 V적정황하,CMOS사빈공솔방대기공작은정,1 dB압축점수출공솔약위30 dBm,증익약위28 dB,최대공솔증가효솔(PAE)약위42％.
