电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
Electronic Components & Materials
2015年
10期
19-22
,共4页
塔力哈尔·夏依木拉提%尚志勇%李文亮%彭敏%孟军霞%谢宁
塔力哈爾·夏依木拉提%尚誌勇%李文亮%彭敏%孟軍霞%謝寧
탑력합이·하의목랍제%상지용%리문량%팽민%맹군하%사저
H2 S%OFET%微纳材料%气体绝缘层%气体传感器%纳米线%酞菁铜
H2 S%OFET%微納材料%氣體絕緣層%氣體傳感器%納米線%酞菁銅
H2 S%OFET%미납재료%기체절연층%기체전감기%납미선%태정동
H2 S%OFET%micro-nano material%gas dielectric%gas sensor%nanowire%CuPc
结合FET和一维微纳材料的优势，构筑了具有高灵敏度和低检测极限的FET式H2S气体传感器。研究结果发现，在室温条件下，器件对体积分数5×10–6至50×10–6的H 2 S具有良好的灵敏度和低检测极限（5×10–6）。相比于薄膜FET传感器，检测极限降至原来的1/20。与PMMA绝缘层比较研究结果显示：引起器件对H 2 S的高器件性能的原因主要归因于被暴露的导电沟道和微纳材料的性质。
結閤FET和一維微納材料的優勢，構築瞭具有高靈敏度和低檢測極限的FET式H2S氣體傳感器。研究結果髮現，在室溫條件下，器件對體積分數5×10–6至50×10–6的H 2 S具有良好的靈敏度和低檢測極限（5×10–6）。相比于薄膜FET傳感器，檢測極限降至原來的1/20。與PMMA絕緣層比較研究結果顯示：引起器件對H 2 S的高器件性能的原因主要歸因于被暴露的導電溝道和微納材料的性質。
결합FET화일유미납재료적우세，구축료구유고령민도화저검측겁한적FET식H2S기체전감기。연구결과발현，재실온조건하，기건대체적분수5×10–6지50×10–6적H 2 S구유량호적령민도화저검측겁한（5×10–6）。상비우박막FET전감기，검측겁한강지원래적1/20。여PMMA절연층비교연구결과현시：인기기건대H 2 S적고기건성능적원인주요귀인우피폭로적도전구도화미납재료적성질。
An individual CuPc nanowire was fabricated as gas sensors for detecting H2S at room remperature. The sensors have high sensitivity toward 5×10–6 and 50×10–6 H2S and low detect limitation (5×10–6). Compared to FET film sensors, the detection limitation is reduced by a factor of twenty. The comparative experiments between solid and gas dielectric devices show that the exposed conductive channel and property of nano materials is responsible for the sensitivity to H2S.
