科技创业月刊
科技創業月刊
과기창업월간
Pioneering With Science & Technology Monthly
2015年
15期
93-94
,共2页
GaN基%HEMT器件%毫米波
GaN基%HEMT器件%毫米波
GaN기%HEMT기건%호미파
近些年来,随着时代经济的飞速发展以及科技的进步,GaN材料不仅仅有着较高的饱和电子迁移速度,同时也有着较高的击穿场强.对于GaN基的HEMT器件而言,是实现毫米波功率器件的一种重要选择.分析GaN基新型结构HEMT器件时,首先对GaN基新型结构HEMT器件的发展历程进行回顾,其次对GaN基新型结构HEMT器件的设计原理做了具体的分析,最后探讨了GaN基新型结构HEMT器件的基本结构.
近些年來,隨著時代經濟的飛速髮展以及科技的進步,GaN材料不僅僅有著較高的飽和電子遷移速度,同時也有著較高的擊穿場彊.對于GaN基的HEMT器件而言,是實現毫米波功率器件的一種重要選擇.分析GaN基新型結構HEMT器件時,首先對GaN基新型結構HEMT器件的髮展歷程進行迴顧,其次對GaN基新型結構HEMT器件的設計原理做瞭具體的分析,最後探討瞭GaN基新型結構HEMT器件的基本結構.
근사년래,수착시대경제적비속발전이급과기적진보,GaN재료불부부유착교고적포화전자천이속도,동시야유착교고적격천장강.대우GaN기적HEMT기건이언,시실현호미파공솔기건적일충중요선택.분석GaN기신형결구HEMT기건시,수선대GaN기신형결구HEMT기건적발전역정진행회고,기차대GaN기신형결구HEMT기건적설계원리주료구체적분석,최후탐토료GaN기신형결구HEMT기건적기본결구.
