电子工业专用设备
電子工業專用設備
전자공업전용설비
Equipment for Electronic Products Manufacturing
2015年
7期
18-22
,共5页
胡顺欣%李明月%苏延芬%邓建国
鬍順訢%李明月%囌延芬%鄧建國
호순흔%리명월%소연분%산건국
硅微波双极晶体管%介质击穿/隧穿%等离子体充电效应%等离子体损伤%PtSi合金
硅微波雙極晶體管%介質擊穿/隧穿%等離子體充電效應%等離子體損傷%PtSi閤金
규미파쌍겁정체관%개질격천/수천%등리자체충전효응%등리자체손상%PtSi합금
介绍了硅微波双极晶体管中一种集电极-发射极漏电的失效模式,着重从芯片制造工艺方面研究了失效机理.建立了RIE等离子体刻蚀等效电容模型,研究了电容介质隧穿/击穿诱发的工艺损伤和接触孔侧壁角度对PtSi的影响.结果表明:RIE干法刻蚀在接触孔局部诱发Si损伤,接触孔侧壁角度减小导致参与合金的Pt总量增加,部分Pt沿此通道穿透发射结进入中性基区形成深能级陷阱,在高反偏集电极-发射极电压VCE作用下进入扩展的集电结空间电荷区,增加了空间电荷区电子-空穴对的产生率和集电结反偏电流I∞,形成快速增大的集电极-发射极漏电流ICEO,导致芯片失效.
介紹瞭硅微波雙極晶體管中一種集電極-髮射極漏電的失效模式,著重從芯片製造工藝方麵研究瞭失效機理.建立瞭RIE等離子體刻蝕等效電容模型,研究瞭電容介質隧穿/擊穿誘髮的工藝損傷和接觸孔側壁角度對PtSi的影響.結果錶明:RIE榦法刻蝕在接觸孔跼部誘髮Si損傷,接觸孔側壁角度減小導緻參與閤金的Pt總量增加,部分Pt沿此通道穿透髮射結進入中性基區形成深能級陷阱,在高反偏集電極-髮射極電壓VCE作用下進入擴展的集電結空間電荷區,增加瞭空間電荷區電子-空穴對的產生率和集電結反偏電流I∞,形成快速增大的集電極-髮射極漏電流ICEO,導緻芯片失效.
개소료규미파쌍겁정체관중일충집전겁-발사겁루전적실효모식,착중종심편제조공예방면연구료실효궤리.건립료RIE등리자체각식등효전용모형,연구료전용개질수천/격천유발적공예손상화접촉공측벽각도대PtSi적영향.결과표명:RIE간법각식재접촉공국부유발Si손상,접촉공측벽각도감소도치삼여합금적Pt총량증가,부분Pt연차통도천투발사결진입중성기구형성심능급함정,재고반편집전겁-발사겁전압VCE작용하진입확전적집전결공간전하구,증가료공간전하구전자-공혈대적산생솔화집전결반편전류I∞,형성쾌속증대적집전겁-발사겁루전류ICEO,도치심편실효.
