高等学校化学学报
高等學校化學學報
고등학교화학학보
Chemical Journal of Chinese Universities
2015年
8期
1606-1611
,共6页
三维多孔钛基体%掺硼金刚石薄膜电极%邻苯二甲酸二甲酯%电催化氧化
三維多孔鈦基體%摻硼金剛石薄膜電極%鄰苯二甲痠二甲酯%電催化氧化
삼유다공태기체%참붕금강석박막전겁%린분이갑산이갑지%전최화양화
Three-dimensional porous titanium substrate%Boron-doped diamond film electrode%Dimethyl phthalate%Electrochemical oxidation
以邻苯二甲酸二甲酯(DMP)作为模型污染物,研究了不同结构的钛基体对掺硼金刚石薄膜(Ti/BDD)电极电催化性能的影响.结果表明,三维多孔电极为氧化还原反应提供了更多的反应活性位点,表现出更快的电子传递速率.通过循环伏安法和线性扫描法验证了DMP在BDD电极上的电催化氧化行为属于直接电氧化过程,且在低浓度下近似为一级反应,DMP浓度较高时会在BDD电极表面发生成膜现象.在不同浓度的DMP溶液中使用平板Ti/BDD电极及多孔Ti/BDD电极进行直接电催化氧化时,DMP的电催化氧化过程与理论推断一致;多孔电极由于其电活性面积的优势在COD和DMP的去除方面均优于平板电极.
以鄰苯二甲痠二甲酯(DMP)作為模型汙染物,研究瞭不同結構的鈦基體對摻硼金剛石薄膜(Ti/BDD)電極電催化性能的影響.結果錶明,三維多孔電極為氧化還原反應提供瞭更多的反應活性位點,錶現齣更快的電子傳遞速率.通過循環伏安法和線性掃描法驗證瞭DMP在BDD電極上的電催化氧化行為屬于直接電氧化過程,且在低濃度下近似為一級反應,DMP濃度較高時會在BDD電極錶麵髮生成膜現象.在不同濃度的DMP溶液中使用平闆Ti/BDD電極及多孔Ti/BDD電極進行直接電催化氧化時,DMP的電催化氧化過程與理論推斷一緻;多孔電極由于其電活性麵積的優勢在COD和DMP的去除方麵均優于平闆電極.
이린분이갑산이갑지(DMP)작위모형오염물,연구료불동결구적태기체대참붕금강석박막(Ti/BDD)전겁전최화성능적영향.결과표명,삼유다공전겁위양화환원반응제공료경다적반응활성위점,표현출경쾌적전자전체속솔.통과순배복안법화선성소묘법험증료DMP재BDD전겁상적전최화양화행위속우직접전양화과정,차재저농도하근사위일급반응,DMP농도교고시회재BDD전겁표면발생성막현상.재불동농도적DMP용액중사용평판Ti/BDD전겁급다공Ti/BDD전겁진행직접전최화양화시,DMP적전최화양화과정여이론추단일치;다공전겁유우기전활성면적적우세재COD화DMP적거제방면균우우평판전겁.
