太赫兹科学与电子信息学报
太赫玆科學與電子信息學報
태혁자과학여전자신식학보
Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology
2015年
4期
646-648,658
,共4页
湛治强%阎大伟%熊政伟%沈昌乐%彭丽萍%罗跃川%王雪敏%吴卫东
湛治彊%閻大偉%熊政偉%瀋昌樂%彭麗萍%囉躍川%王雪敏%吳衛東
담치강%염대위%웅정위%침창악%팽려평%라약천%왕설민%오위동
双层胶%亚微米%电子束曝光%金属电极
雙層膠%亞微米%電子束曝光%金屬電極
쌍층효%아미미%전자속폭광%금속전겁
bilayer photoresist%submicron%electron beam lithography%metal electrode
亚微米尺寸金属电极在高电子迁移率晶体管(HEMT)等半导体电子学器件中有重要应用,其制作是器件制作中的关键工艺,对器件性能有着重要影响.本文选择合适的涂胶旋转转速、烘烤温度(180℃)和时间,可以有效地减少电子束曝光后所产生的气泡.通过对聚甲基丙烯酸甲酯/聚二甲基戊二酰亚胺(PMMA/PMGI)双层胶进行电子束曝光和显影,确定了合适的曝光剂量为550 μC/cm2.通过调整显影液配比,并将显影时间控制在合理范围,获得了光滑完整的PMMA/PMGI双层光刻胶曝光图形.开发了双层光刻胶电子束曝光工艺,制备出宽度为200 nm的金属电极.
亞微米呎吋金屬電極在高電子遷移率晶體管(HEMT)等半導體電子學器件中有重要應用,其製作是器件製作中的關鍵工藝,對器件性能有著重要影響.本文選擇閤適的塗膠鏇轉轉速、烘烤溫度(180℃)和時間,可以有效地減少電子束曝光後所產生的氣泡.通過對聚甲基丙烯痠甲酯/聚二甲基戊二酰亞胺(PMMA/PMGI)雙層膠進行電子束曝光和顯影,確定瞭閤適的曝光劑量為550 μC/cm2.通過調整顯影液配比,併將顯影時間控製在閤理範圍,穫得瞭光滑完整的PMMA/PMGI雙層光刻膠曝光圖形.開髮瞭雙層光刻膠電子束曝光工藝,製備齣寬度為200 nm的金屬電極.
아미미척촌금속전겁재고전자천이솔정체관(HEMT)등반도체전자학기건중유중요응용,기제작시기건제작중적관건공예,대기건성능유착중요영향.본문선택합괄적도효선전전속、홍고온도(180℃)화시간,가이유효지감소전자속폭광후소산생적기포.통과대취갑기병희산갑지/취이갑기무이선아알(PMMA/PMGI)쌍층효진행전자속폭광화현영,학정료합괄적폭광제량위550 μC/cm2.통과조정현영액배비,병장현영시간공제재합리범위,획득료광활완정적PMMA/PMGI쌍층광각효폭광도형.개발료쌍층광각효전자속폭광공예,제비출관도위200 nm적금속전겁.
