太赫兹科学与电子信息学报
太赫玆科學與電子信息學報
태혁자과학여전자신식학보
Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology
2015年
4期
544-549
,共6页
罗跃川%赵妍%沈昌乐%阎大伟
囉躍川%趙妍%瀋昌樂%閻大偉
라약천%조연%침창악%염대위
平面肖特基二极管%制作工艺%截止频率%太赫兹
平麵肖特基二極管%製作工藝%截止頻率%太赫玆
평면초특기이겁관%제작공예%절지빈솔%태혁자
planar Schottky barrier diode%fabrication%cut-off frequency%Terahertz
为研究制作THz频段下工作的肖特基二极管器件,系统研究了平面肖特基二极管的制作工艺.通过分子束外延(MBE)生长了掺杂浓度分别为5×1018cm-3的缓冲层和2×1017 cm-3的外延层,并研究温度对厚度的影响,使得膜层厚度控制良好,晶格完整.通过参数控制,减小了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的SiO2钝化层应力,使压指结构的翘曲情况得以改善.研究了不同退火温度下欧姆接触的情况,使接触电阻率减小到0.8×10-7 Ω/cm2.用电子束光刻和干法刻蚀制作了亚微米级的阳极区域,结合GaAs湿法刻蚀的速率控制,完成了表面沟道的制作,制作出完整的平面肖特基二极管.通过I-U曲线理论计算,二极管的截止频率达到太赫兹量级,为后续工作奠定了基础.
為研究製作THz頻段下工作的肖特基二極管器件,繫統研究瞭平麵肖特基二極管的製作工藝.通過分子束外延(MBE)生長瞭摻雜濃度分彆為5×1018cm-3的緩遲層和2×1017 cm-3的外延層,併研究溫度對厚度的影響,使得膜層厚度控製良好,晶格完整.通過參數控製,減小瞭等離子體增彊化學氣相沉積(PECVD)的SiO2鈍化層應力,使壓指結構的翹麯情況得以改善.研究瞭不同退火溫度下歐姆接觸的情況,使接觸電阻率減小到0.8×10-7 Ω/cm2.用電子束光刻和榦法刻蝕製作瞭亞微米級的暘極區域,結閤GaAs濕法刻蝕的速率控製,完成瞭錶麵溝道的製作,製作齣完整的平麵肖特基二極管.通過I-U麯線理論計算,二極管的截止頻率達到太赫玆量級,為後續工作奠定瞭基礎.
위연구제작THz빈단하공작적초특기이겁관기건,계통연구료평면초특기이겁관적제작공예.통과분자속외연(MBE)생장료참잡농도분별위5×1018cm-3적완충층화2×1017 cm-3적외연층,병연구온도대후도적영향,사득막층후도공제량호,정격완정.통과삼수공제,감소료등리자체증강화학기상침적(PECVD)적SiO2둔화층응력,사압지결구적교곡정황득이개선.연구료불동퇴화온도하구모접촉적정황,사접촉전조솔감소도0.8×10-7 Ω/cm2.용전자속광각화간법각식제작료아미미급적양겁구역,결합GaAs습법각식적속솔공제,완성료표면구도적제작,제작출완정적평면초특기이겁관.통과I-U곡선이론계산,이겁관적절지빈솔체도태혁자량급,위후속공작전정료기출.
