哈尔滨理工大学学报
哈爾濱理工大學學報
합이빈리공대학학보
Journal of Harbin University of Science and Technology
2015年
4期
16-20
,共5页
王东兴%王泽英%王玥玥%张永霜%王玥
王東興%王澤英%王玥玥%張永霜%王玥
왕동흥%왕택영%왕모모%장영상%왕모
有机薄膜晶体管%半导电Al栅极%酞菁铜%肖特基势垒
有機薄膜晶體管%半導電Al柵極%酞菁銅%肖特基勢壘
유궤박막정체관%반도전Al책겁%태정동%초특기세루
organic thin film transistors%semi-conductor Al gate%copper phthalocyanine%Schottky barrier
传统有机材料的场效应晶体管(FETs)具有工作速度低、驱动电压高的缺陷,针对这个问题,垂直结构的酞菁铜(CuPc)有机薄膜晶体管(VOTFTs)被制备,整个制备过程采用真空蒸镀和直流磁控溅射镀膜工艺.器件的层叠结构为Au/CuPc/Al(半导电)/CuPc/Au.其中半导电Al栅极薄膜的制备是十分重要的.VOTFT通过栅-源极偏压改变肖特基势垒高度来调制沟道电流.在室温下对其进行基本的电气测量.实验结果表明器件的静态输出特性具有不饱和性.漏-源极偏压VDS保持在2V时,在栅-源极上施加频率为100 Hz的方波交流信号,得到器件的开关特性参数为t.n=2.68 ms,toff=1.32 ms.在栅-源极上施加正弦波交流信号时,器件的截止频率和放大带宽分别为400 Hz,400 Hz.可知VOTFT具有工作频率高,响应速度快,电流密度大的优点.
傳統有機材料的場效應晶體管(FETs)具有工作速度低、驅動電壓高的缺陷,針對這箇問題,垂直結構的酞菁銅(CuPc)有機薄膜晶體管(VOTFTs)被製備,整箇製備過程採用真空蒸鍍和直流磁控濺射鍍膜工藝.器件的層疊結構為Au/CuPc/Al(半導電)/CuPc/Au.其中半導電Al柵極薄膜的製備是十分重要的.VOTFT通過柵-源極偏壓改變肖特基勢壘高度來調製溝道電流.在室溫下對其進行基本的電氣測量.實驗結果錶明器件的靜態輸齣特性具有不飽和性.漏-源極偏壓VDS保持在2V時,在柵-源極上施加頻率為100 Hz的方波交流信號,得到器件的開關特性參數為t.n=2.68 ms,toff=1.32 ms.在柵-源極上施加正絃波交流信號時,器件的截止頻率和放大帶寬分彆為400 Hz,400 Hz.可知VOTFT具有工作頻率高,響應速度快,電流密度大的優點.
전통유궤재료적장효응정체관(FETs)구유공작속도저、구동전압고적결함,침대저개문제,수직결구적태정동(CuPc)유궤박막정체관(VOTFTs)피제비,정개제비과정채용진공증도화직류자공천사도막공예.기건적층첩결구위Au/CuPc/Al(반도전)/CuPc/Au.기중반도전Al책겁박막적제비시십분중요적.VOTFT통과책-원겁편압개변초특기세루고도래조제구도전류.재실온하대기진행기본적전기측량.실험결과표명기건적정태수출특성구유불포화성.루-원겁편압VDS보지재2V시,재책-원겁상시가빈솔위100 Hz적방파교류신호,득도기건적개관특성삼수위t.n=2.68 ms,toff=1.32 ms.재책-원겁상시가정현파교류신호시,기건적절지빈솔화방대대관분별위400 Hz,400 Hz.가지VOTFT구유공작빈솔고,향응속도쾌,전류밀도대적우점.
