高电压技术
高電壓技術
고전압기술
High Voltage Engineering
2015年
9期
3054-3060
,共7页
汪佛池%马建桥%律方成%刘宏宇%郭云翔%杨升杰
汪彿池%馬建橋%律方成%劉宏宇%郭雲翔%楊升傑
왕불지%마건교%률방성%류굉우%곽운상%양승걸
瓷支柱绝缘子%水分%污秽%温升%饱和特性%红外热像
瓷支柱絕緣子%水分%汙穢%溫升%飽和特性%紅外熱像
자지주절연자%수분%오예%온승%포화특성%홍외열상
porcelain post insulator%water molecule%pollution%temperature rise%saturation characteristic%infrared thermal imaging
绝缘子表面污秽受潮和水分侵入瓷体均可导致瓷支柱绝缘子出现异常发热,比较二者所引起的温升规律具有重要的实际应用价值.为此,选取具有相同运行年限和气象环境条件的试品,发热试品在现场局部有明显发热,不发热试品表面温度分布均匀.研究结果表明:发热试品经干燥处理后发热点暂时性消失,浸泡后的试品温升最大值约为浸泡前数值的2倍,浸泡后高湿和自然风干两种状态下温升变化趋势一致,差值＜1℃.浸泡后的发热试品温升最大值出现在加压时长为180～240 min,浸泡时长＞72 h时的局部温升变化幅值增加不明显.不发热试品在退网、干燥处理等两种状态下各部位温升值均＜0.4℃,浸泡后在表面湿润状态下最大温升仅为1.2℃.发热试品表面污秽受潮湿润后的局部温升值远小于水分侵入瓷体后的温升值,浸泡前的发热试品热点位于7号伞瓷柱附近,浸泡后发热点迁移到3号伞瓷柱附近.发热试品异常发热系绝缘子低压端金具同瓷体胶装处有明显的裂纹和凹坑,该缺陷导致水分侵入瓷体后会引起瓷体局部出现异常发热.
絕緣子錶麵汙穢受潮和水分侵入瓷體均可導緻瓷支柱絕緣子齣現異常髮熱,比較二者所引起的溫升規律具有重要的實際應用價值.為此,選取具有相同運行年限和氣象環境條件的試品,髮熱試品在現場跼部有明顯髮熱,不髮熱試品錶麵溫度分佈均勻.研究結果錶明:髮熱試品經榦燥處理後髮熱點暫時性消失,浸泡後的試品溫升最大值約為浸泡前數值的2倍,浸泡後高濕和自然風榦兩種狀態下溫升變化趨勢一緻,差值＜1℃.浸泡後的髮熱試品溫升最大值齣現在加壓時長為180～240 min,浸泡時長＞72 h時的跼部溫升變化幅值增加不明顯.不髮熱試品在退網、榦燥處理等兩種狀態下各部位溫升值均＜0.4℃,浸泡後在錶麵濕潤狀態下最大溫升僅為1.2℃.髮熱試品錶麵汙穢受潮濕潤後的跼部溫升值遠小于水分侵入瓷體後的溫升值,浸泡前的髮熱試品熱點位于7號傘瓷柱附近,浸泡後髮熱點遷移到3號傘瓷柱附近.髮熱試品異常髮熱繫絕緣子低壓耑金具同瓷體膠裝處有明顯的裂紋和凹坑,該缺陷導緻水分侵入瓷體後會引起瓷體跼部齣現異常髮熱.
절연자표면오예수조화수분침입자체균가도치자지주절연자출현이상발열,비교이자소인기적온승규률구유중요적실제응용개치.위차,선취구유상동운행년한화기상배경조건적시품,발열시품재현장국부유명현발열,불발열시품표면온도분포균균.연구결과표명:발열시품경간조처리후발열점잠시성소실,침포후적시품온승최대치약위침포전수치적2배,침포후고습화자연풍간량충상태하온승변화추세일치,차치＜1℃.침포후적발열시품온승최대치출현재가압시장위180～240 min,침포시장＞72 h시적국부온승변화폭치증가불명현.불발열시품재퇴망、간조처리등량충상태하각부위온승치균＜0.4℃,침포후재표면습윤상태하최대온승부위1.2℃.발열시품표면오예수조습윤후적국부온승치원소우수분침입자체후적온승치,침포전적발열시품열점위우7호산자주부근,침포후발열점천이도3호산자주부근.발열시품이상발열계절연자저압단금구동자체효장처유명현적렬문화요갱,해결함도치수분침입자체후회인기자체국부출현이상발열.
