上海电机学院学报
上海電機學院學報
상해전궤학원학보
Journal of Shanghai Dianji University
2015年
4期
191-200
,共10页
范春丽%余成龙%龙觉敏%赵朝会
範春麗%餘成龍%龍覺敏%趙朝會
범춘려%여성룡%룡각민%조조회
SiC金属氧化物半导体场效应晶体管%双脉冲测试电路%寄生参数%开关特性
SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管%雙脈遲測試電路%寄生參數%開關特性
SiC금속양화물반도체장효응정체관%쌍맥충측시전로%기생삼수%개관특성
为了研究高开关速度下寄生参数对SiC MOSFET开关特性的影响,以双脉冲测试电路为平台,借助于LTspice软件,探讨了栅极寄生电阻RG、寄生电感以及寄生电容对SiC MOSFET开通和关断时间,开通和关断损耗,电压和电流尖峰的影响.结果表明:RG对寄生振铃有抑制作用,但需要以增大开关时间和开关损耗为代价;源极电感Ls具有负反馈作用,其对寄生振铃的抑制也是以增大开关时间和开关损耗为代价;漏极电感LD和栅极电感LG的增加都会使电流和电压尖峰增大,LD的作用较LG明显;漏源极电容CDS是产生电压和电流尖峰的主要因素;栅漏极电容CcD的大小决定了漏源极电压uDS的变化速率;栅源极电容CGs主要决定了器件的开关延时时间和漏极电流的变化速率,对寄生振铃影响不大.
為瞭研究高開關速度下寄生參數對SiC MOSFET開關特性的影響,以雙脈遲測試電路為平檯,藉助于LTspice軟件,探討瞭柵極寄生電阻RG、寄生電感以及寄生電容對SiC MOSFET開通和關斷時間,開通和關斷損耗,電壓和電流尖峰的影響.結果錶明:RG對寄生振鈴有抑製作用,但需要以增大開關時間和開關損耗為代價;源極電感Ls具有負反饋作用,其對寄生振鈴的抑製也是以增大開關時間和開關損耗為代價;漏極電感LD和柵極電感LG的增加都會使電流和電壓尖峰增大,LD的作用較LG明顯;漏源極電容CDS是產生電壓和電流尖峰的主要因素;柵漏極電容CcD的大小決定瞭漏源極電壓uDS的變化速率;柵源極電容CGs主要決定瞭器件的開關延時時間和漏極電流的變化速率,對寄生振鈴影響不大.
위료연구고개관속도하기생삼수대SiC MOSFET개관특성적영향,이쌍맥충측시전로위평태,차조우LTspice연건,탐토료책겁기생전조RG、기생전감이급기생전용대SiC MOSFET개통화관단시간,개통화관단손모,전압화전류첨봉적영향.결과표명:RG대기생진령유억제작용,단수요이증대개관시간화개관손모위대개;원겁전감Ls구유부반궤작용,기대기생진령적억제야시이증대개관시간화개관손모위대개;루겁전감LD화책겁전감LG적증가도회사전류화전압첨봉증대,LD적작용교LG명현;루원겁전용CDS시산생전압화전류첨봉적주요인소;책루겁전용CcD적대소결정료루원겁전압uDS적변화속솔;책원겁전용CGs주요결정료기건적개관연시시간화루겁전류적변화속솔,대기생진령영향불대.
