红外与毫米波学报
紅外與毫米波學報
홍외여호미파학보
Journal of Infrared and Millimeter Waves
2015年
5期
528-532
,共5页
Al2O3/GaSb p型场效应晶体管%饱和电流%泊松方程与连续性方程%开关电流比
Al2O3/GaSb p型場效應晶體管%飽和電流%泊鬆方程與連續性方程%開關電流比
Al2O3/GaSb p형장효응정체관%포화전류%박송방정여련속성방정%개관전류비
Al2O3/GaSb p-MOSFET%saturation current%the Poisson and continuity quations%Ion/Ioff ratios
利用泊松方程和连续性方程对Al2O3/GaSb p-MOSFET进行二维数值分析,研究其在高场和载流子速度饱和下的电学特性以及漏极电流的开关电流比.与实验研究相对比,沟道长度为0.75 μm的GaSb p-MOS器件获得漏极电流最大为61.2mA/mm.改变沟道长度和GaSb衬底的掺杂浓度,由于高k介质栅电容效应和低阈值电压,漏极电流变化不大.在理想条件下,该器件获得超过三个数量级的漏极开关电流比以及较低的夹断漏电流(10-15A/μm).结果表明,基于高k介质的GaSb MOSFET是Ⅲ-Ⅴ族p沟道器件良好的候选材料.
利用泊鬆方程和連續性方程對Al2O3/GaSb p-MOSFET進行二維數值分析,研究其在高場和載流子速度飽和下的電學特性以及漏極電流的開關電流比.與實驗研究相對比,溝道長度為0.75 μm的GaSb p-MOS器件穫得漏極電流最大為61.2mA/mm.改變溝道長度和GaSb襯底的摻雜濃度,由于高k介質柵電容效應和低閾值電壓,漏極電流變化不大.在理想條件下,該器件穫得超過三箇數量級的漏極開關電流比以及較低的夾斷漏電流(10-15A/μm).結果錶明,基于高k介質的GaSb MOSFET是Ⅲ-Ⅴ族p溝道器件良好的候選材料.
이용박송방정화련속성방정대Al2O3/GaSb p-MOSFET진행이유수치분석,연구기재고장화재류자속도포화하적전학특성이급루겁전류적개관전류비.여실험연구상대비,구도장도위0.75 μm적GaSb p-MOS기건획득루겁전류최대위61.2mA/mm.개변구도장도화GaSb츤저적참잡농도,유우고k개질책전용효응화저역치전압,루겁전류변화불대.재이상조건하,해기건획득초과삼개수량급적루겁개관전류비이급교저적협단루전류(10-15A/μm).결과표명,기우고k개질적GaSb MOSFET시Ⅲ-Ⅴ족p구도기건량호적후선재료.
