CAJ | 학술논문

闪存存储器（Flash Memory）简称闪存，是一种基于半导体技术的非易失性存储器。闪存中数据的写入是基于先擦除后写入的方式，擦除以块为单位，每个数据块的擦除次数有限，因擦除次数过多而被磨损的块，影响了整个存储器的生命周期，为了提高闪存存储器的寿命，使得每块的擦除均衡，磨损均衡技术成为flash存储中研究的关键技术之一。本文从专利技术方面分析磨损均衡的发展趋势。
섬존존저기（Flash Memory）간칭섬존，시일충기우반도체기술적비역실성존저기。섬존중수거적사입시기우선찰제후사입적방식，찰제이괴위단위，매개수거괴적찰제차수유한，인찰제차수과다이피마손적괴，영향료정개존저기적생명주기，위료제고섬존존저기적수명，사득매괴적찰제균형，마손균형기술성위flash존저중연구적관건기술지일。본문종전리기술방면분석마손균형적발전추세。