红外技术
紅外技術
홍외기술
Infrared Technology
2015年
10期
868-872
,共5页
李雄军%韩福忠%李东升%李立华%胡彦博%孔金丞%朱颖峰%庄继胜%姬荣斌
李雄軍%韓福忠%李東升%李立華%鬍彥博%孔金丞%硃穎峰%莊繼勝%姬榮斌
리웅군%한복충%리동승%리립화%호언박%공금승%주영봉%장계성%희영빈
中波碲镉汞%表面钝化%MIS 器件%C-V
中波碲鎘汞%錶麵鈍化%MIS 器件%C-V
중파제력홍%표면둔화%MIS 기건%C-V
MW HgCdTe%surface passivation%MIS device%C-V
HgCdTe 表面/界面特性对器件性能具有重要的影响，表面/界面的状态主要依赖于表面处理和钝化工艺。采用 Br2/CH3OH 腐蚀液对液相外延（LPE）生长的中波 HgCdTe 薄膜进行表面处理后，使用CdTe/ZnS 复合钝化技术进行表面钝化，制备了相应的 MIS 器件并进行器件 C-V 测试。结果表明，HgCdTe/钝化层界面固定电荷极性为正，面密度为2.1×1011 cm－2，最低快界面态密度为1.43×1011 cm－2·eV－1，在10 V 栅压极值下慢界面态密度为4.75×1011 cm－2，较低的快界面态密度体现出了 CdTe/ZnS 复合钝化技术的优越性。
HgCdTe 錶麵/界麵特性對器件性能具有重要的影響，錶麵/界麵的狀態主要依賴于錶麵處理和鈍化工藝。採用 Br2/CH3OH 腐蝕液對液相外延（LPE）生長的中波 HgCdTe 薄膜進行錶麵處理後，使用CdTe/ZnS 複閤鈍化技術進行錶麵鈍化，製備瞭相應的 MIS 器件併進行器件 C-V 測試。結果錶明，HgCdTe/鈍化層界麵固定電荷極性為正，麵密度為2.1×1011 cm－2，最低快界麵態密度為1.43×1011 cm－2·eV－1，在10 V 柵壓極值下慢界麵態密度為4.75×1011 cm－2，較低的快界麵態密度體現齣瞭 CdTe/ZnS 複閤鈍化技術的優越性。
HgCdTe 표면/계면특성대기건성능구유중요적영향，표면/계면적상태주요의뢰우표면처리화둔화공예。채용 Br2/CH3OH 부식액대액상외연（LPE）생장적중파 HgCdTe 박막진행표면처리후，사용CdTe/ZnS 복합둔화기술진행표면둔화，제비료상응적 MIS 기건병진행기건 C-V 측시。결과표명，HgCdTe/둔화층계면고정전하겁성위정，면밀도위2.1×1011 cm－2，최저쾌계면태밀도위1.43×1011 cm－2·eV－1，재10 V 책압겁치하만계면태밀도위4.75×1011 cm－2，교저적쾌계면태밀도체현출료 CdTe/ZnS 복합둔화기술적우월성。
The HgCdTe surface/interface property plays an important role in HgCdTe based photodiodes, and strongly depends on surface treatment and surface passivation. The LPE HgCdTe surface is etched with bromine in methanol (Br2/CH3OH), followed by sputtering of the CdTe/ZnS composite film as the surface passivation for HgCdTe. MIS devices with ZnS/CdTe double passivation layers are fabricated and characterized. The results show that the polarity of fixed interface charge is positive and interface charge density is 2.1×1011 cm-2, the minimum magnitude of interface state is 1.43×1011cm-2·eV-1, and the slow interface density is 4.75×1011 cm-2 under the gate bias extreme of 10 V. The relatively low density of interface state indicates that CdTe/ZnS composite passivation technique is advantaged.
