红外技术
紅外技術
홍외기술
Infrared Technology
2015年
10期
801-806
,共6页
光电阴极%像增强器%能带结构%光源%EBAPS
光電陰極%像增彊器%能帶結構%光源%EBAPS
광전음겁%상증강기%능대결구%광원%EBAPS
photocathode%image intensifier%band structure%optical source%EBAPS
本文是负电子亲和势光电阴极发现50周年的纪念文章,简要回顾了过去的成绩,现在的困难及今后的展望。经过近30年的努力,我国 MOCVD 生长的反射式 GaAs 光电阴极的积分灵敏度已达到3516μA/lm,目前存在的困难是光电阴极寿命问题,寿命问题解决了,高性能微光像增强器以及EBAPS 数字器件可以缩短与西方的差距。如果高灵敏度长寿命的 GaAs:O-Cs 光电阴极真正取代了目前大科学装置中的铜阴极,基于我国大科学装置的基础研究才会迎来真正的科学春天。
本文是負電子親和勢光電陰極髮現50週年的紀唸文章,簡要迴顧瞭過去的成績,現在的睏難及今後的展望。經過近30年的努力,我國 MOCVD 生長的反射式 GaAs 光電陰極的積分靈敏度已達到3516μA/lm,目前存在的睏難是光電陰極壽命問題,壽命問題解決瞭,高性能微光像增彊器以及EBAPS 數字器件可以縮短與西方的差距。如果高靈敏度長壽命的 GaAs:O-Cs 光電陰極真正取代瞭目前大科學裝置中的銅陰極,基于我國大科學裝置的基礎研究纔會迎來真正的科學春天。
본문시부전자친화세광전음겁발현50주년적기념문장,간요회고료과거적성적,현재적곤난급금후적전망。경과근30년적노력,아국 MOCVD 생장적반사식 GaAs 광전음겁적적분령민도이체도3516μA/lm,목전존재적곤난시광전음겁수명문제,수명문제해결료,고성능미광상증강기이급EBAPS 수자기건가이축단여서방적차거。여과고령민도장수명적 GaAs:O-Cs 광전음겁진정취대료목전대과학장치중적동음겁,기우아국대과학장치적기출연구재회영래진정적과학춘천。
This article is the fifty year anniversary of the discovery photocathode of negative electron affinity, and a brief review of the past achievements, the present difficulties and future outlook. After nearly 30 years of efforts, the integral sensitivity of the MOCVD growth of GaAs reflection-mode photocathode in China has reached 3516 μA/lm. Existing difficulties is photocathode life problem, life problem resolved, LLL image intensifier and EBAPS digital device of high performance can shorten the gap with the West. If the GaAs:O-Cs photocathode of high sensitivity and long life truly replace the copper cathode in the current big scientific device, based on the basic research of China's big scientific device will usher in a real scientific spring.