科技风
科技風
과기풍
Technology Wind
2015年
20期
111-111
,共1页
张二东%乔旭%冯小元
張二東%喬旭%馮小元
장이동%교욱%풍소원
SiC%功率器件
SiC%功率器件
SiC%공솔기건
碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的典型代表，具有宽带隙、高饱和飘逸速度、高临界击穿电场等优点，在高温、高频、大功率应用方面有很大的优势。本文简要介绍了SiC材料的特点、制备及其在功率器件方面的应用。
碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料的典型代錶，具有寬帶隙、高飽和飄逸速度、高臨界擊穿電場等優點，在高溫、高頻、大功率應用方麵有很大的優勢。本文簡要介紹瞭SiC材料的特點、製備及其在功率器件方麵的應用。
탄화규（SiC）작위제삼대반도체재료적전형대표，구유관대극、고포화표일속도、고림계격천전장등우점，재고온、고빈、대공솔응용방면유흔대적우세。본문간요개소료SiC재료적특점、제비급기재공솔기건방면적응용。
