数字通信世界
數字通信世界
수자통신세계
Digital communication World
2015年
9期
303-304
,共2页
ZnO%纳米线%场效应晶体管%专利申请
ZnO%納米線%場效應晶體管%專利申請
ZnO%납미선%장효응정체관%전리신청
ZnO纳米线场效应晶体管(FET)具有很出色的性能,凭借着性能的优贽,ZnO纳米线FET很有可能替代传统的硅MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),使集成电路的尺寸朝着更小的力向发展.本文对ZnO纳米线FET的专利发展进行了一定的探讨,介绍了随着时间的推移ZnO纳米线FET在组成、结构或工艺的改进研究成果.通过对整体领域的分析,可以对专利审查和公司专利布局具有一定的借鉴作用.
ZnO納米線場效應晶體管(FET)具有很齣色的性能,憑藉著性能的優贄,ZnO納米線FET很有可能替代傳統的硅MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管),使集成電路的呎吋朝著更小的力嚮髮展.本文對ZnO納米線FET的專利髮展進行瞭一定的探討,介紹瞭隨著時間的推移ZnO納米線FET在組成、結構或工藝的改進研究成果.通過對整體領域的分析,可以對專利審查和公司專利佈跼具有一定的藉鑒作用.
ZnO납미선장효응정체관(FET)구유흔출색적성능,빙차착성능적우지,ZnO납미선FET흔유가능체대전통적규MOSFET(금속-양화물-반도체장효응정체관),사집성전로적척촌조착경소적력향발전.본문대ZnO납미선FET적전리발전진행료일정적탐토,개소료수착시간적추이ZnO납미선FET재조성、결구혹공예적개진연구성과.통과대정체영역적분석,가이대전리심사화공사전리포국구유일정적차감작용.
