Predictive approach of SEU occurrence induced by neutron in SRAM and EEPROM
  • 万方数据
    核技术（英文版） 핵기술（영문판）
    Nuclear Science and Techniques
    2015年 5期 050501-1-050501-5 ,共1页

    金晓明%杨善潮%李达%张文首%王晨辉%李瑞宾%王桂珍%白小燕%齐超%刘岩

    금효명%양선조%리체%장문수%왕신휘%리서빈%왕계진%백소연%제초%류암



    Neutron radiation%Memory device%Single event upset (SEU)%Linear energy transfer (LET)


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