潍坊学院学报
濰坊學院學報
유방학원학보
Journal of Weifang University
2015年
2期
55-57
,共3页
集成电路%微电子%MOSFET%制造工艺
集成電路%微電子%MOSFET%製造工藝
집성전로%미전자%MOSFET%제조공예
本文针对传统MOSFET制作流程复杂,花费巨大的缺点,提出了一种改进的MOSFET制作方案,在保留MOSFET基本特性基础上,可以大幅度减少工艺流程.并利用此方法成功制作出了MOS-FET器件并检测到了良好的电学特性.
本文針對傳統MOSFET製作流程複雜,花費巨大的缺點,提齣瞭一種改進的MOSFET製作方案,在保留MOSFET基本特性基礎上,可以大幅度減少工藝流程.併利用此方法成功製作齣瞭MOS-FET器件併檢測到瞭良好的電學特性.
본문침대전통MOSFET제작류정복잡,화비거대적결점,제출료일충개진적MOSFET제작방안,재보류MOSFET기본특성기출상,가이대폭도감소공예류정.병이용차방법성공제작출료MOS-FET기건병검측도료량호적전학특성.
