压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
Piezoelectrics & Acoustooptics
2015年
5期
729-733
,共5页
高杨%蔡洵%贺学锋%刘海涛
高楊%蔡洵%賀學鋒%劉海濤
고양%채순%하학봉%류해도
体声波%滤波器%射频探针台%矢量网络分析仪%低阻硅
體聲波%濾波器%射頻探針檯%矢量網絡分析儀%低阻硅
체성파%려파기%사빈탐침태%시량망락분석의%저조규
bulk acoustic wave%filter%RF probe station%vector network analyzer%low resistivity silicon
为了表征制备的L波段体声波(BAW)滤波器的性能,采用射频探针台和矢量网络分析仪片上测试获得了BAW滤波器的S参数;在ADS软件环境下计算了BAW滤波器的各项性能参数.比较实测与仿真得到的S参数曲线,发现:低阻硅衬底会使BAW滤波器的带内插损显著增加;BAW滤波器中各薄膜体声波谐振器(FBAR)单元的薄膜沉积厚度误差会使BAW滤波器的带内波动偏大,且FBAR薄膜厚度较设计值增大时BAW滤波器的中心频率会向下偏移.以制备的一只BAW滤波器为例,测得其中心频率为1 495 MHz,带宽为17 MHz,带内插损为-46.413 dB,带内波动为2.816 dB,带外抑制为-72.525 dB/-79.356 dB,电压驻波比为1.940.该文给出的BAW滤波器片上测试与性能表征方法具有通用性.
為瞭錶徵製備的L波段體聲波(BAW)濾波器的性能,採用射頻探針檯和矢量網絡分析儀片上測試穫得瞭BAW濾波器的S參數;在ADS軟件環境下計算瞭BAW濾波器的各項性能參數.比較實測與倣真得到的S參數麯線,髮現:低阻硅襯底會使BAW濾波器的帶內插損顯著增加;BAW濾波器中各薄膜體聲波諧振器(FBAR)單元的薄膜沉積厚度誤差會使BAW濾波器的帶內波動偏大,且FBAR薄膜厚度較設計值增大時BAW濾波器的中心頻率會嚮下偏移.以製備的一隻BAW濾波器為例,測得其中心頻率為1 495 MHz,帶寬為17 MHz,帶內插損為-46.413 dB,帶內波動為2.816 dB,帶外抑製為-72.525 dB/-79.356 dB,電壓駐波比為1.940.該文給齣的BAW濾波器片上測試與性能錶徵方法具有通用性.
위료표정제비적L파단체성파(BAW)려파기적성능,채용사빈탐침태화시량망락분석의편상측시획득료BAW려파기적S삼수;재ADS연건배경하계산료BAW려파기적각항성능삼수.비교실측여방진득도적S삼수곡선,발현:저조규츤저회사BAW려파기적대내삽손현저증가;BAW려파기중각박막체성파해진기(FBAR)단원적박막침적후도오차회사BAW려파기적대내파동편대,차FBAR박막후도교설계치증대시BAW려파기적중심빈솔회향하편이.이제비적일지BAW려파기위례,측득기중심빈솔위1 495 MHz,대관위17 MHz,대내삽손위-46.413 dB,대내파동위2.816 dB,대외억제위-72.525 dB/-79.356 dB,전압주파비위1.940.해문급출적BAW려파기편상측시여성능표정방법구유통용성.
