中国集成电路
中國集成電路
중국집성전로
China Integrated Circuit
2015年
10期
37-42
,共6页
段宗明%马强%王晓东%唐小兰%林福江
段宗明%馬彊%王曉東%唐小蘭%林福江
단종명%마강%왕효동%당소란%림복강
相控阵%有源移相器%多相滤波器%有源巴伦%吉尔伯特单元
相控陣%有源移相器%多相濾波器%有源巴倫%吉爾伯特單元
상공진%유원이상기%다상려파기%유원파륜%길이백특단원
采用0.18 μm CMOS工艺设计了一种200-800MHz 6-Bit有源移相器,基于低噪声有源巴伦和三阶多相滤波器设计方案,在提高工作带宽和移相精度的基础上,降低了噪声系数.后仿真结果显示:移相器典型增益10dB,噪声系数优于15dB;在-55 ～+85℃宽温范围内全频带RMS移相精度小于2.8°,常温工作条件下300～ 700MHz频段内RMS移相精度小于1°;工作电压3.3V,工作电流14.7mA,芯片面积1.3×1mm2.
採用0.18 μm CMOS工藝設計瞭一種200-800MHz 6-Bit有源移相器,基于低譟聲有源巴倫和三階多相濾波器設計方案,在提高工作帶寬和移相精度的基礎上,降低瞭譟聲繫數.後倣真結果顯示:移相器典型增益10dB,譟聲繫數優于15dB;在-55 ～+85℃寬溫範圍內全頻帶RMS移相精度小于2.8°,常溫工作條件下300～ 700MHz頻段內RMS移相精度小于1°;工作電壓3.3V,工作電流14.7mA,芯片麵積1.3×1mm2.
채용0.18 μm CMOS공예설계료일충200-800MHz 6-Bit유원이상기,기우저조성유원파륜화삼계다상려파기설계방안,재제고공작대관화이상정도적기출상,강저료조성계수.후방진결과현시:이상기전형증익10dB,조성계수우우15dB;재-55 ～+85℃관온범위내전빈대RMS이상정도소우2.8°,상온공작조건하300～ 700MHz빈단내RMS이상정도소우1°;공작전압3.3V,공작전류14.7mA,심편면적1.3×1mm2.
