中国集成电路
中國集成電路
중국집성전로
China Integrated Circuit
2015年
10期
31-36
,共6页
SRAM型FPGA%单粒子翻转%可靠性
SRAM型FPGA%單粒子翻轉%可靠性
SRAM형FPGA%단입자번전%가고성
在空间辐射环境下,SRAM型FPGA比ASIC器件更容易产生单粒子翻转(SEU)效应,造成器件逻辑错误和系统故障,因此对航天应用中的SRAM型FPGA必须采取相应的抗单粒子翻转设计措施,提高FPGA空间应用的可靠性.分析了SEU产生原因及国内外针对SEU效应提出的FPGA加固设计方法,重点分析介绍了三模冗余技术、刷新回读技术和局部动态可重构技术等加固技术,总结比较了各种技术的优缺点.
在空間輻射環境下,SRAM型FPGA比ASIC器件更容易產生單粒子翻轉(SEU)效應,造成器件邏輯錯誤和繫統故障,因此對航天應用中的SRAM型FPGA必鬚採取相應的抗單粒子翻轉設計措施,提高FPGA空間應用的可靠性.分析瞭SEU產生原因及國內外針對SEU效應提齣的FPGA加固設計方法,重點分析介紹瞭三模冗餘技術、刷新迴讀技術和跼部動態可重構技術等加固技術,總結比較瞭各種技術的優缺點.
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