中国集成电路
中國集成電路
중국집성전로
China Integrated Circuit
2015年
10期
61-64
,共4页
於广军%闻永祥%方佼%李志栓
於廣軍%聞永祥%方佼%李誌栓
어엄군%문영상%방교%리지전
横向切口效应%深槽刻蚀%低频偏压%微机械系统
橫嚮切口效應%深槽刻蝕%低頻偏壓%微機械繫統
횡향절구효응%심조각식%저빈편압%미궤계계통
本文研究了高频(13.56 MHz)和低频(380 KHz)深槽刻蚀机,对SOI硅片深槽刻蚀横向切口(notching)效应的影响.结果表明:过刻蚀量(OE)在20％时,高频设备发生notching现象,但是随着槽尺寸的增大,notching的横向刻蚀量呈线性下降;低频设备在OE为90％时仍没有明显notching现象.研究表明SF6等离子体频率较低,难以响应高频射频场;以及高频设备刻蚀离子垂直方向性较强,易造成介质层电荷积累是导致notching效应的主要原因.
本文研究瞭高頻(13.56 MHz)和低頻(380 KHz)深槽刻蝕機,對SOI硅片深槽刻蝕橫嚮切口(notching)效應的影響.結果錶明:過刻蝕量(OE)在20％時,高頻設備髮生notching現象,但是隨著槽呎吋的增大,notching的橫嚮刻蝕量呈線性下降;低頻設備在OE為90％時仍沒有明顯notching現象.研究錶明SF6等離子體頻率較低,難以響應高頻射頻場;以及高頻設備刻蝕離子垂直方嚮性較彊,易造成介質層電荷積纍是導緻notching效應的主要原因.
본문연구료고빈(13.56 MHz)화저빈(380 KHz)심조각식궤,대SOI규편심조각식횡향절구(notching)효응적영향.결과표명:과각식량(OE)재20％시,고빈설비발생notching현상,단시수착조척촌적증대,notching적횡향각식량정선성하강;저빈설비재OE위90％시잉몰유명현notching현상.연구표명SF6등리자체빈솔교저,난이향응고빈사빈장;이급고빈설비각식리자수직방향성교강,역조성개질층전하적루시도치notching효응적주요원인.
