红外与激光工程
紅外與激光工程
홍외여격광공정
Infrared and Laser Engineering
2015年
9期
2774-2777
,共4页
刘昕男%端木庆铎%王国政%孙洪涛
劉昕男%耑木慶鐸%王國政%孫洪濤
류흔남%단목경탁%왕국정%손홍도
硅微通道%电化学腐蚀%空穴输运%迁移率
硅微通道%電化學腐蝕%空穴輸運%遷移率
규미통도%전화학부식%공혈수운%천이솔
silicon microchannel%electrochemical etching%transport of hole%carrier mobility
在电化学腐蚀硅微通道这一工艺过程中,温度是其中一个很重要的影响因素.通过研究温度对电化学腐蚀硅微通道过程中空穴输运的影响,加深对电化学腐蚀硅微通道这一过程的认识.利用电化学光照辅助阳极氧化法以n型(100)晶向单晶硅为研究对象,设计实验,得到硅微通道阵列在不同温度条件下的I-V特性扫描曲线、孔道的形貌以及孔道的深度;根据晶体中的散射机制的相关原理,研究了温度与载流子迁移率和扩散系数之间的关系;根据实验,得到了暗电流与温度的关系.最后通过对上述实验结果的分析,得出温度越低由空穴输运产生的空穴电流密度就越低,同时暗电流的值也越低,在较低温度下通过电化学腐蚀法制备的硅微通道结构形貌较好.
在電化學腐蝕硅微通道這一工藝過程中,溫度是其中一箇很重要的影響因素.通過研究溫度對電化學腐蝕硅微通道過程中空穴輸運的影響,加深對電化學腐蝕硅微通道這一過程的認識.利用電化學光照輔助暘極氧化法以n型(100)晶嚮單晶硅為研究對象,設計實驗,得到硅微通道陣列在不同溫度條件下的I-V特性掃描麯線、孔道的形貌以及孔道的深度;根據晶體中的散射機製的相關原理,研究瞭溫度與載流子遷移率和擴散繫數之間的關繫;根據實驗,得到瞭暗電流與溫度的關繫.最後通過對上述實驗結果的分析,得齣溫度越低由空穴輸運產生的空穴電流密度就越低,同時暗電流的值也越低,在較低溫度下通過電化學腐蝕法製備的硅微通道結構形貌較好.
재전화학부식규미통도저일공예과정중,온도시기중일개흔중요적영향인소.통과연구온도대전화학부식규미통도과정중공혈수운적영향,가심대전화학부식규미통도저일과정적인식.이용전화학광조보조양겁양화법이n형(100)정향단정규위연구대상,설계실험,득도규미통도진렬재불동온도조건하적I-V특성소묘곡선、공도적형모이급공도적심도;근거정체중적산사궤제적상관원리,연구료온도여재류자천이솔화확산계수지간적관계;근거실험,득도료암전류여온도적관계.최후통과대상술실험결과적분석,득출온도월저유공혈수운산생적공혈전류밀도취월저,동시암전류적치야월저,재교저온도하통과전화학부식법제비적규미통도결구형모교호.
