电脑知识与技术
電腦知識與技術
전뇌지식여기술
Computer Knowledge and Technology
2015年
23期
145-146
,共2页
MOSFET%轻掺杂漏(LDD)%反相器
MOSFET%輕摻雜漏(LDD)%反相器
MOSFET%경참잡루(LDD)%반상기
MOSFET%lightly doped drain(LDD)%inverter
设计了一种0.35um沟长的LDD PMOS器件,并用Medici软件进行数值仿真,找到一种简单有效的描述器件伏安特性的数值算法,给出相应的数学表达式,并利用这些表达式计算亚微米CMOS反相器的电压传输特性,计算结果与理论分析符合较好.
設計瞭一種0.35um溝長的LDD PMOS器件,併用Medici軟件進行數值倣真,找到一種簡單有效的描述器件伏安特性的數值算法,給齣相應的數學錶達式,併利用這些錶達式計算亞微米CMOS反相器的電壓傳輸特性,計算結果與理論分析符閤較好.
설계료일충0.35um구장적LDD PMOS기건,병용Medici연건진행수치방진,조도일충간단유효적묘술기건복안특성적수치산법,급출상응적수학표체식,병이용저사표체식계산아미미CMOS반상기적전압전수특성,계산결과여이론분석부합교호.
We design a 0.35um P-Channel LDD device, and simulate it using the Medici program. We find a simple and effective numerical arithmetic to describe the I-V characteristics of the device and give the mathematic expressions. And then, we calculate the voltage transmit characteristics, and the result is fairly consistent with the theoretical analysis.
