四川大学学报（自然科学版）
四川大學學報（自然科學版）
사천대학학보（자연과학판）
Journal of Sichuan University(Natural Science Edition)
2015年
5期
1081-1088
,共8页
等离子体%数值模拟%脉冲激光烧蚀%半导体Ge
等離子體%數值模擬%脈遲激光燒蝕%半導體Ge
등리자체%수치모의%맥충격광소식%반도체Ge
Plasma%Numerical simulation%Pulsed laser ablation%Semiconductor Ge
为了深入理解在纳秒激光烧蚀半导体材料过程中背景气压对烧蚀过程以及羽流膨胀动力学特性的影响,本文利用一维激光烧蚀和流体动力学耦合模型,对不同He气压下的纳秒脉冲激光烧蚀半导体Ge的过程进行了模拟计算.结果表明:在氦气环境下,背景气压的变化对辐照在靶面的激光能量影响较小,因此靶面蒸发率、靶面温度和靶面烧蚀深度对气压变化的敏感程度较低;同时,背景气压的增大抑制了羽流膨胀,使羽流膨胀速度减小.计算结果和分析对于优化纳秒激光烧蚀半导体时背景环境气压具有理论指导意义.
為瞭深入理解在納秒激光燒蝕半導體材料過程中揹景氣壓對燒蝕過程以及羽流膨脹動力學特性的影響,本文利用一維激光燒蝕和流體動力學耦閤模型,對不同He氣壓下的納秒脈遲激光燒蝕半導體Ge的過程進行瞭模擬計算.結果錶明:在氦氣環境下,揹景氣壓的變化對輻照在靶麵的激光能量影響較小,因此靶麵蒸髮率、靶麵溫度和靶麵燒蝕深度對氣壓變化的敏感程度較低;同時,揹景氣壓的增大抑製瞭羽流膨脹,使羽流膨脹速度減小.計算結果和分析對于優化納秒激光燒蝕半導體時揹景環境氣壓具有理論指導意義.
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