物理实验
物理實驗
물리실험
Physics Experimentation
2015年
10期
1-5
,共5页
朱芸%米文俊%马金楼%王强%马锡英
硃蕓%米文俊%馬金樓%王彊%馬錫英
주예%미문준%마금루%왕강%마석영
MoS2/ZnO异质结%化学气相沉积%能带结构%光电特性%迁移率
MoS2/ZnO異質結%化學氣相沉積%能帶結構%光電特性%遷移率
MoS2/ZnO이질결%화학기상침적%능대결구%광전특성%천이솔
采用化学气相沉积法在Si衬底上先后沉积了Ag掺杂的MoS2薄膜和Ag掺杂的ZnO薄膜,形成MoS2/ZnO异质结.研究了薄膜的表面形貌、晶体结构、光吸收特性和电学特性,对比分析了MoS2/ZnO异质结的光吸收特性和有无光照下的I-V特性,并对其导电机理进行了研究.实验结果表明:MoS2和ZnO薄膜表面均匀平整,结晶度较好;Ag掺杂的MoS2和Ag掺杂的ZnO的薄膜具有较高的电子迁移率,分别为1.57×103 cm2/(V·s)和6.17×103 cm2/(V·s);MoS2/ZnO异质结具有较好的整流效应和光电响应特性.
採用化學氣相沉積法在Si襯底上先後沉積瞭Ag摻雜的MoS2薄膜和Ag摻雜的ZnO薄膜,形成MoS2/ZnO異質結.研究瞭薄膜的錶麵形貌、晶體結構、光吸收特性和電學特性,對比分析瞭MoS2/ZnO異質結的光吸收特性和有無光照下的I-V特性,併對其導電機理進行瞭研究.實驗結果錶明:MoS2和ZnO薄膜錶麵均勻平整,結晶度較好;Ag摻雜的MoS2和Ag摻雜的ZnO的薄膜具有較高的電子遷移率,分彆為1.57×103 cm2/(V·s)和6.17×103 cm2/(V·s);MoS2/ZnO異質結具有較好的整流效應和光電響應特性.
채용화학기상침적법재Si츤저상선후침적료Ag참잡적MoS2박막화Ag참잡적ZnO박막,형성MoS2/ZnO이질결.연구료박막적표면형모、정체결구、광흡수특성화전학특성,대비분석료MoS2/ZnO이질결적광흡수특성화유무광조하적I-V특성,병대기도전궤리진행료연구.실험결과표명:MoS2화ZnO박막표면균균평정,결정도교호;Ag참잡적MoS2화Ag참잡적ZnO적박막구유교고적전자천이솔,분별위1.57×103 cm2/(V·s)화6.17×103 cm2/(V·s);MoS2/ZnO이질결구유교호적정류효응화광전향응특성.
