材料导报
材料導報
재료도보
Materials Review
2015年
20期
114-117
,共4页
蒋盼%彭坤%周灵平%朱家俊%李德意
蔣盼%彭坤%週靈平%硃傢俊%李德意
장반%팽곤%주령평%주가준%리덕의
直接覆铜法%氧化%氧化亚铜%厚度
直接覆銅法%氧化%氧化亞銅%厚度
직접복동법%양화%양화아동%후도
direct bond copper%oxidation%Cu2O%thickness
采用氧化法在铜片上生成氧化亚铜,研究氧化工艺对氧化亚铜厚度的影响规律,利用X射线衍射仪和扫描电镜分别对氧化产物和氧化层厚度进行表征.无氧铜片在900～1050℃,氧气体积分数为2％～10％条件下氧化可在表面生成一层纯的Cu2O层;当氧化温度和氧气体积分数分别是1000℃和4％时,生成致密的Cu2O层,且厚度易于控制,氧化层厚度(ζ)与时间(t)的关系满足抛物线关系ζ2=194t-955.
採用氧化法在銅片上生成氧化亞銅,研究氧化工藝對氧化亞銅厚度的影響規律,利用X射線衍射儀和掃描電鏡分彆對氧化產物和氧化層厚度進行錶徵.無氧銅片在900～1050℃,氧氣體積分數為2％～10％條件下氧化可在錶麵生成一層純的Cu2O層;噹氧化溫度和氧氣體積分數分彆是1000℃和4％時,生成緻密的Cu2O層,且厚度易于控製,氧化層厚度(ζ)與時間(t)的關繫滿足拋物線關繫ζ2=194t-955.
채용양화법재동편상생성양화아동,연구양화공예대양화아동후도적영향규률,이용X사선연사의화소묘전경분별대양화산물화양화층후도진행표정.무양동편재900～1050℃,양기체적분수위2％～10％조건하양화가재표면생성일층순적Cu2O층;당양화온도화양기체적분수분별시1000℃화4％시,생성치밀적Cu2O층,차후도역우공제,양화층후도(ζ)여시간(t)적관계만족포물선관계ζ2=194t-955.
