青岛科技大学学报（自然科学版）
青島科技大學學報（自然科學版）
청도과기대학학보（자연과학판）
Journal of Qingdao University of Science and Technology(Natural Science Edition)
2015年
5期
524-529
,共6页
CAD/CFD理论%SiC一维纳米材料%CVD反应室
CAD/CFD理論%SiC一維納米材料%CVD反應室
CAD/CFD이론%SiC일유납미재료%CVD반응실
CAD/CFD theory%SiC one-dimensional nanomaterials%CVD reaction chamber
根据自主研制的用于制备SiC一维纳米材料的可控气氛炉内的空间尺寸以及通气方式,设计了4种不同结构的化学气相沉积(CVD)反应室("S"型结构,"三角"型结构,"双三角"型结构,"回"型结构),并基于CFD原理,使用Fluent软件对这4种反应室内的温度场及气流场进行了模拟,得到了各反应室内温度及气体流速的分布云图.通过比较分析发现,在达到稳态后,4种结构反应室内气孔附近的温度均比较低;但气流场模拟结果显示,"回"型结构CVD反应室内,在产物生长的基片表面附近存在气体流量最多且层流面积最大,适于SiC纳米线生长的面积最大,最适用于SiC一维纳米材料的连续制备,其结果已被实验验证.
根據自主研製的用于製備SiC一維納米材料的可控氣氛爐內的空間呎吋以及通氣方式,設計瞭4種不同結構的化學氣相沉積(CVD)反應室("S"型結構,"三角"型結構,"雙三角"型結構,"迴"型結構),併基于CFD原理,使用Fluent軟件對這4種反應室內的溫度場及氣流場進行瞭模擬,得到瞭各反應室內溫度及氣體流速的分佈雲圖.通過比較分析髮現,在達到穩態後,4種結構反應室內氣孔附近的溫度均比較低;但氣流場模擬結果顯示,"迴"型結構CVD反應室內,在產物生長的基片錶麵附近存在氣體流量最多且層流麵積最大,適于SiC納米線生長的麵積最大,最適用于SiC一維納米材料的連續製備,其結果已被實驗驗證.
근거자주연제적용우제비SiC일유납미재료적가공기분로내적공간척촌이급통기방식,설계료4충불동결구적화학기상침적(CVD)반응실("S"형결구,"삼각"형결구,"쌍삼각"형결구,"회"형결구),병기우CFD원리,사용Fluent연건대저4충반응실내적온도장급기류장진행료모의,득도료각반응실내온도급기체류속적분포운도.통과비교분석발현,재체도은태후,4충결구반응실내기공부근적온도균비교저;단기류장모의결과현시,"회"형결구CVD반응실내,재산물생장적기편표면부근존재기체류량최다차층류면적최대,괄우SiC납미선생장적면적최대,최괄용우SiC일유납미재료적련속제비,기결과이피실험험증.
