物理化学学报
物理化學學報
물이화학학보
Acta Physico-Chimica Sinica
2015年
11期
2083-2090
,共8页
邵妍%欧阳方平%彭盛霖%刘琦%贾治安%邹慧
邵妍%歐暘方平%彭盛霖%劉琦%賈治安%鄒慧
소연%구양방평%팽성림%류기%가치안%추혜
二硫化钼%纳米带%空位缺陷%第一性原理%电子结构
二硫化鉬%納米帶%空位缺陷%第一性原理%電子結構
이류화목%납미대%공위결함%제일성원리%전자결구
Molybdenum disulfide%Nanoribbon%Vacancy defect%First-principles%Electronic structure
基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了含空位缺陷的扶手椅型二硫化钼纳米带的电子性质.发现缺陷会导致纳米带结构稳定性降低,单空位铝缺陷和三空位缺陷使得纳米带从半导体变成金属性,而单空位硫缺陷和两种双空位缺陷仅减小纳米带的带隙;电子态密度和能带的本征态表明缺陷纳米带费米能级附近的杂质态主要是缺陷态的贡献.研究了四类半导体性质的纳米带带隙与宽度的关系,对于完整的纳米带,带隙随宽度以3为周期振荡变化;而引入空位缺陷后,纳米带的带隙振荡不再具有周期且振荡幅度变小.同时发现,当缺陷的浓度变小后,缺陷仅使纳米带的带隙减小,不会使其变为金属性.这些结果有望打开其在新型纳电子器件中的应用潜能.
基于密度汎函理論的第一性原理計算,研究瞭含空位缺陷的扶手椅型二硫化鉬納米帶的電子性質.髮現缺陷會導緻納米帶結構穩定性降低,單空位鋁缺陷和三空位缺陷使得納米帶從半導體變成金屬性,而單空位硫缺陷和兩種雙空位缺陷僅減小納米帶的帶隙;電子態密度和能帶的本徵態錶明缺陷納米帶費米能級附近的雜質態主要是缺陷態的貢獻.研究瞭四類半導體性質的納米帶帶隙與寬度的關繫,對于完整的納米帶,帶隙隨寬度以3為週期振盪變化;而引入空位缺陷後,納米帶的帶隙振盪不再具有週期且振盪幅度變小.同時髮現,噹缺陷的濃度變小後,缺陷僅使納米帶的帶隙減小,不會使其變為金屬性.這些結果有望打開其在新型納電子器件中的應用潛能.
기우밀도범함이론적제일성원리계산,연구료함공위결함적부수의형이류화목납미대적전자성질.발현결함회도치납미대결구은정성강저,단공위려결함화삼공위결함사득납미대종반도체변성금속성,이단공위류결함화량충쌍공위결함부감소납미대적대극;전자태밀도화능대적본정태표명결함납미대비미능급부근적잡질태주요시결함태적공헌.연구료사류반도체성질적납미대대극여관도적관계,대우완정적납미대,대극수관도이3위주기진탕변화;이인입공위결함후,납미대적대극진탕불재구유주기차진탕폭도변소.동시발현,당결함적농도변소후,결함부사납미대적대극감소,불회사기변위금속성.저사결과유망타개기재신형납전자기건중적응용잠능.
