电镀与涂饰
電鍍與塗飾
전도여도식
Electroplating & Finishing
2015年
19期
1105-1111
,共7页
印制电路板%化学镀钯%优化%健壮设计%沉积速率
印製電路闆%化學鍍鈀%優化%健壯設計%沉積速率
인제전로판%화학도파%우화%건장설계%침적속솔
printed circuit board%electroless palladium plating%optimization%robust design%deposition rate
从化学镀钯反应机理入手,分析了影响化学镀钯质量的工艺参数,并运用DOE(试验设计)中的健壮设计实验方法,对这些参数进行了优化,获得了新型ENEPIG(化学镀镍、钯与浸金)印制电路板生产中化学镀钯的最优化工艺参数:氯化钯质量浓度2.2 g/L,次磷酸钠质量浓度13.2 g/L,氨水体积分数165 mL/L,温度55℃,pH 9.6,氯化铵质量浓度33 g/L.验证试验表明,应用优化后的化学镀钯工艺时,钯的沉积速率均值从原来的0.64 mg/(cm2·min)提升到4.83 mg/(cm2·min),分散度也有明显改善.经过大样本量验证,试验具有良好的重复性和再现性.
從化學鍍鈀反應機理入手,分析瞭影響化學鍍鈀質量的工藝參數,併運用DOE(試驗設計)中的健壯設計實驗方法,對這些參數進行瞭優化,穫得瞭新型ENEPIG(化學鍍鎳、鈀與浸金)印製電路闆生產中化學鍍鈀的最優化工藝參數:氯化鈀質量濃度2.2 g/L,次燐痠鈉質量濃度13.2 g/L,氨水體積分數165 mL/L,溫度55℃,pH 9.6,氯化銨質量濃度33 g/L.驗證試驗錶明,應用優化後的化學鍍鈀工藝時,鈀的沉積速率均值從原來的0.64 mg/(cm2·min)提升到4.83 mg/(cm2·min),分散度也有明顯改善.經過大樣本量驗證,試驗具有良好的重複性和再現性.
종화학도파반응궤리입수,분석료영향화학도파질량적공예삼수,병운용DOE(시험설계)중적건장설계실험방법,대저사삼수진행료우화,획득료신형ENEPIG(화학도얼、파여침금)인제전로판생산중화학도파적최우화공예삼수:록화파질량농도2.2 g/L,차린산납질량농도13.2 g/L,안수체적분수165 mL/L,온도55℃,pH 9.6,록화안질량농도33 g/L.험증시험표명,응용우화후적화학도파공예시,파적침적속솔균치종원래적0.64 mg/(cm2·min)제승도4.83 mg/(cm2·min),분산도야유명현개선.경과대양본량험증,시험구유량호적중복성화재현성.
