仪表技术与传感器
儀錶技術與傳感器
의표기술여전감기
Instrument Technique and Sensor
2015年
11期
4-6,10
,共4页
传感器接口电路%RFID标签%CMOS工艺
傳感器接口電路%RFID標籤%CMOS工藝
전감기접구전로%RFID표첨%CMOS공예
Sensor Interface%RFID tag%CMOS technology
针对射频识别技术( RFID)迅猛发展的需求,采用0.18μm CMOS工艺设计并制造了一种电容式传感器接口电路。该接口电路为全数字结构,能将传感器电容值转换到频域进行处理。它采用了一种新型的内部限幅的环形振荡器结构,比传统反相器结构振荡器降低了约30%功耗。后期测试结果显示,所设计的集成接口电路获得了良好的线性度和稳定性能,占用0.21 mm2芯片面积,1 V电源电压下仅消耗0.92μW功率,尤其适合于无源RFID传感器标签设计中。
針對射頻識彆技術( RFID)迅猛髮展的需求,採用0.18μm CMOS工藝設計併製造瞭一種電容式傳感器接口電路。該接口電路為全數字結構,能將傳感器電容值轉換到頻域進行處理。它採用瞭一種新型的內部限幅的環形振盪器結構,比傳統反相器結構振盪器降低瞭約30%功耗。後期測試結果顯示,所設計的集成接口電路穫得瞭良好的線性度和穩定性能,佔用0.21 mm2芯片麵積,1 V電源電壓下僅消耗0.92μW功率,尤其適閤于無源RFID傳感器標籤設計中。
침대사빈식별기술( RFID)신맹발전적수구,채용0.18μm CMOS공예설계병제조료일충전용식전감기접구전로。해접구전로위전수자결구,능장전감기전용치전환도빈역진행처리。타채용료일충신형적내부한폭적배형진탕기결구,비전통반상기결구진탕기강저료약30%공모。후기측시결과현시,소설계적집성접구전로획득료량호적선성도화은정성능,점용0.21 mm2심편면적,1 V전원전압하부소모0.92μW공솔,우기괄합우무원RFID전감기표첨설계중。
According to the rapid development of Radio Frequency IDentification ( RFID) , this paper presented an integrated capacitive sensor interface using 0.18 μm complementary metal oxide semiconductor technology .The proposed interface employed fully-digital architecture and processed the sensor value in frequency domain .The sensor interface presented an internal-amplitude-limiting ring oscillator , resulting in a reduction in power dissipation by almost 30%.Measurement results show the proposed inte-grated capacitive sensor interface achieves excellent linearity and stability .The proposed interface covers 0.21 mm2 chip area and consumes only 0.92 μW power , which proves especially suitable for passive RFID tag design .