电子器件
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전자기건
Chinese Journal of Electron Devices
2015年
5期
976-979
,共4页
袁源%王耀洲%谢畅%秦海鸿
袁源%王耀洲%謝暢%秦海鴻
원원%왕요주%사창%진해홍
半导体元件%碳化硅超结晶体管%耐高温%低损耗
半導體元件%碳化硅超結晶體管%耐高溫%低損耗
반도체원건%탄화규초결정체관%내고온%저손모
semiconductor device%SiC SJT%high-temperature%low loss
对SiC BJT的特性和参数进行了分析研究.以GeneSiC公司的1 200 V/7 A SiC超结晶体管为例,详细阐述了其静态特性、栅极控制特性、动态特性及安全工作区.并与目前商用最好水平的Si-IGBT进行了对比研究.SiC SJT在250 ℃时开关时间小于15 ns,325℃时漏电流低于100 uA,电流增益高达72,反向偏置安全工作区呈矩形,无二次击穿,具有承受长达22 μs短路的能力.以100 kHz、800 V/7 A下进行开关动作时,SiC SJT与SiC肖特基二极管组合起来的开关损耗,比采用Si IGBT和Si快恢复续流二极管组合的降低64％左右,适合高频工作.
對SiC BJT的特性和參數進行瞭分析研究.以GeneSiC公司的1 200 V/7 A SiC超結晶體管為例,詳細闡述瞭其靜態特性、柵極控製特性、動態特性及安全工作區.併與目前商用最好水平的Si-IGBT進行瞭對比研究.SiC SJT在250 ℃時開關時間小于15 ns,325℃時漏電流低于100 uA,電流增益高達72,反嚮偏置安全工作區呈矩形,無二次擊穿,具有承受長達22 μs短路的能力.以100 kHz、800 V/7 A下進行開關動作時,SiC SJT與SiC肖特基二極管組閤起來的開關損耗,比採用Si IGBT和Si快恢複續流二極管組閤的降低64％左右,適閤高頻工作.
대SiC BJT적특성화삼수진행료분석연구.이GeneSiC공사적1 200 V/7 A SiC초결정체관위례,상세천술료기정태특성、책겁공제특성、동태특성급안전공작구.병여목전상용최호수평적Si-IGBT진행료대비연구.SiC SJT재250 ℃시개관시간소우15 ns,325℃시루전류저우100 uA,전류증익고체72,반향편치안전공작구정구형,무이차격천,구유승수장체22 μs단로적능력.이100 kHz、800 V/7 A하진행개관동작시,SiC SJT여SiC초특기이겁관조합기래적개관손모,비채용Si IGBT화Si쾌회복속류이겁관조합적강저64％좌우,괄합고빈공작.
