电子制作
電子製作
전자제작
Practical Electronics
2015年
24期
6-7
,共2页
数控衰减器芯片%GaAs%PHEMT%微波单片集成电路
數控衰減器芯片%GaAs%PHEMT%微波單片集成電路
수공쇠감기심편%GaAs%PHEMT%미파단편집성전로
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺设计了一款工作于2.7GHz～3.5GHz的3bit数控衰减器芯片,经过测试通态插入损耗＜ 0.7dB,最大衰减量5.6dB,衰减步进0.8dB,衰减平坦度≤0.1dB,衰减精度±0.2dB,全态输入/输出电压驻波比系数＜ 1.25,全态衰减附加相移在-3°～2°之间,芯片面积1.04mm × 1.2mm.
採用0.5μm GaAs PHEMT工藝設計瞭一款工作于2.7GHz～3.5GHz的3bit數控衰減器芯片,經過測試通態插入損耗＜ 0.7dB,最大衰減量5.6dB,衰減步進0.8dB,衰減平坦度≤0.1dB,衰減精度±0.2dB,全態輸入/輸齣電壓駐波比繫數＜ 1.25,全態衰減附加相移在-3°～2°之間,芯片麵積1.04mm × 1.2mm.
채용0.5μm GaAs PHEMT공예설계료일관공작우2.7GHz～3.5GHz적3bit수공쇠감기심편,경과측시통태삽입손모＜ 0.7dB,최대쇠감량5.6dB,쇠감보진0.8dB,쇠감평탄도≤0.1dB,쇠감정도±0.2dB,전태수입/수출전압주파비계수＜ 1.25,전태쇠감부가상이재-3°～2°지간,심편면적1.04mm × 1.2mm.
