电工技术学报
電工技術學報
전공기술학보
Transactions of China Electrotechnical Society
2015年
14期
295-303
,共9页
李艳%张雅静%黄波%郑琼林%郭希铮
李豔%張雅靜%黃波%鄭瓊林%郭希錚
리염%장아정%황파%정경림%곽희쟁
宽禁带半导体器件%GaN HEMT%共源共栅结构%输出伏安特性
寬禁帶半導體器件%GaN HEMT%共源共柵結構%輸齣伏安特性
관금대반도체기건%GaN HEMT%공원공책결구%수출복안특성
Wide Bandgap Semiconductor Device%GaN HEMT%Cascode%Output volt-ampere characteristics
近年来随着氮化镓器件制造工艺的迅速发展,氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)已经开始应用在电力电子领域.高压共源共栅(Cascode) GaN HEMT的出现使得GaN 器件可以在高压场合进行应用.本文首先研究了耗尽型GaN HEMT及Cascode GaN HEMT全范围输出伏安特性及其特点.结合Si MOSFET和耗尽型GaN HEMT的特性,本文重点研究了Cascode GaN HEMT的工作模态及其条件.最后,给出了500W基于600V Cascode GaN HEMT单相全桥逆变器的实验验证.实验结果和仿真验证证明了理论分析的正确性.
近年來隨著氮化鎵器件製造工藝的迅速髮展,氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)已經開始應用在電力電子領域.高壓共源共柵(Cascode) GaN HEMT的齣現使得GaN 器件可以在高壓場閤進行應用.本文首先研究瞭耗儘型GaN HEMT及Cascode GaN HEMT全範圍輸齣伏安特性及其特點.結閤Si MOSFET和耗儘型GaN HEMT的特性,本文重點研究瞭Cascode GaN HEMT的工作模態及其條件.最後,給齣瞭500W基于600V Cascode GaN HEMT單相全橋逆變器的實驗驗證.實驗結果和倣真驗證證明瞭理論分析的正確性.
근년래수착담화가기건제조공예적신속발전,담화가고전자천이솔정체관(GaN HEMT)이경개시응용재전력전자영역.고압공원공책(Cascode) GaN HEMT적출현사득GaN 기건가이재고압장합진행응용.본문수선연구료모진형GaN HEMT급Cascode GaN HEMT전범위수출복안특성급기특점.결합Si MOSFET화모진형GaN HEMT적특성,본문중점연구료Cascode GaN HEMT적공작모태급기조건.최후,급출료500W기우600V Cascode GaN HEMT단상전교역변기적실험험증.실험결과화방진험증증명료이론분석적정학성.
