电子工业专用设备
電子工業專用設備
전자공업전용설비
Equipment for Electronic Products Manufacturing
2015年
11期
36-39
,共4页
郭亚坤%陈晨%田原%范红娜%王云彪
郭亞坤%陳晨%田原%範紅娜%王雲彪
곽아곤%진신%전원%범홍나%왕운표
紫外线/臭氧%清洗技术%雾值%锗抛光片
紫外線/臭氧%清洗技術%霧值%鍺拋光片
자외선/취양%청세기술%무치%타포광편
采用紫外线/臭氧技术氧化锗抛光片表面,取代传统的H2O2氧化工艺,之后使用盐酸稀溶液清洗.研究发现当采用波长为253.7 nm和184.9 nm的紫外线光源与臭氧同时作用,并在尽可能靠近锗抛光片表面时,经过30s的反应时间即可实现对锗抛光片的最佳氧化效果.利用雾值检测对锗抛光片表面质量进行评价,当锗抛光片经过盐酸:H2O=1:50的溶液处理60 s后,可有效地去除抛光片表面的锗氧化物.
採用紫外線/臭氧技術氧化鍺拋光片錶麵,取代傳統的H2O2氧化工藝,之後使用鹽痠稀溶液清洗.研究髮現噹採用波長為253.7 nm和184.9 nm的紫外線光源與臭氧同時作用,併在儘可能靠近鍺拋光片錶麵時,經過30s的反應時間即可實現對鍺拋光片的最佳氧化效果.利用霧值檢測對鍺拋光片錶麵質量進行評價,噹鍺拋光片經過鹽痠:H2O=1:50的溶液處理60 s後,可有效地去除拋光片錶麵的鍺氧化物.
채용자외선/취양기술양화타포광편표면,취대전통적H2O2양화공예,지후사용염산희용액청세.연구발현당채용파장위253.7 nm화184.9 nm적자외선광원여취양동시작용,병재진가능고근타포광편표면시,경과30s적반응시간즉가실현대타포광편적최가양화효과.이용무치검측대타포광편표면질량진행평개,당타포광편경과염산:H2O=1:50적용액처리60 s후,가유효지거제포광편표면적타양화물.
