真空电子技术
真空電子技術
진공전자기술
Vacuum Electronics
2015年
5期
14-18
,共5页
AlN%粉体%制备方法%基板材料
AlN%粉體%製備方法%基闆材料
AlN%분체%제비방법%기판재료
Aluminum nitride%Powder%Synthesis method%Substrate material
氮化铝(AlN)陶瓷具有良好的热性能、电性能、机械性能和化学稳定性,是现今较为理想的基板材料和电子封装材料.AlN陶瓷的优良性能与原材料粉体的性能有着直接的关系,高性能AlN粉体是制备高热导率AlN陶瓷的关键.本文综述了高性能AlN粉体的制备技术与发展现状,比较了国内外AlN粉体的发展差距,指出了国内下一步需要努力的方向.
氮化鋁(AlN)陶瓷具有良好的熱性能、電性能、機械性能和化學穩定性,是現今較為理想的基闆材料和電子封裝材料.AlN陶瓷的優良性能與原材料粉體的性能有著直接的關繫,高性能AlN粉體是製備高熱導率AlN陶瓷的關鍵.本文綜述瞭高性能AlN粉體的製備技術與髮展現狀,比較瞭國內外AlN粉體的髮展差距,指齣瞭國內下一步需要努力的方嚮.
담화려(AlN)도자구유량호적열성능、전성능、궤계성능화화학은정성,시현금교위이상적기판재료화전자봉장재료.AlN도자적우량성능여원재료분체적성능유착직접적관계,고성능AlN분체시제비고열도솔AlN도자적관건.본문종술료고성능AlN분체적제비기술여발전현상,비교료국내외AlN분체적발전차거,지출료국내하일보수요노력적방향.
