现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2011年
18期
195-197
,共3页
纵向双扩散金属氧化物半导体%漏源电压%导通电阻%封装
縱嚮雙擴散金屬氧化物半導體%漏源電壓%導通電阻%封裝
종향쌍확산금속양화물반도체%루원전압%도통전조%봉장
介绍了大功率VDMOS(200 V)的设计方法.对设计参数进行了理论分析,并使用仿真工具对设计参数进行了验证和优化.设计中主要考虑了漏源电压和导通电阻等参数指标,通过器件和工艺的仿真,确定了该器件合理的参数范围:外延厚度为20 μm,外延电阻率为5 Ω·cm；栅氧厚度为52 nm;P阱注入剂量为3×313cm-2,推阱时间65 min.将流片结果与仿真结果进行了比较.
介紹瞭大功率VDMOS(200 V)的設計方法.對設計參數進行瞭理論分析,併使用倣真工具對設計參數進行瞭驗證和優化.設計中主要攷慮瞭漏源電壓和導通電阻等參數指標,通過器件和工藝的倣真,確定瞭該器件閤理的參數範圍:外延厚度為20 μm,外延電阻率為5 Ω·cm；柵氧厚度為52 nm;P阱註入劑量為3×313cm-2,推阱時間65 min.將流片結果與倣真結果進行瞭比較.
개소료대공솔VDMOS(200 V)적설계방법.대설계삼수진행료이론분석,병사용방진공구대설계삼수진행료험증화우화.설계중주요고필료루원전압화도통전조등삼수지표,통과기건화공예적방진,학정료해기건합리적삼수범위:외연후도위20 μm,외연전조솔위5 Ω·cm；책양후도위52 nm;P정주입제량위3×313cm-2,추정시간65 min.장류편결과여방진결과진행료비교.
