4H-SiC MESFET直流I-V特性解析模型
4H-SiC MESFET직류I-V특성해석모형
An Analytical Model of I-V Characteristics of 4H-SiC MESFET
  • 万方数据
    现代电子技术 현대전자기술
    MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
    2008年 10期 24-26 ,共3页

    任学峰%杨银堂%贾护军

    임학봉%양은당%가호군

    4H-SiC%射频功率MESFET%I-V特性%解析模型 4H-SiC%射頻功率MESFET%I-V特性%解析模型
    4H-SiC%사빈공솔MESFET%I-V특성%해석모형
    提出一种改进的4H-SiC MESFET非线性直流解析模型,该模型基于栅下电荷的二维分布进行分析,在分析电场相关迁移率、速度饱和的基础上,考虑沟道长度调制效应对饱和区漏电流的影响,建立基于物理的沟道长度调制效应模型,模拟结果与实测的I-V特性较为吻合.在器件设计初期,可以有效地预测器件的工作状态.
    제출일충개진적4H-SiC MESFET비선성직류해석모형,해모형기우책하전하적이유분포진행분석,재분석전장상관천이솔、속도포화적기출상,고필구도장도조제효응대포화구루전류적영향,건립기우물리적구도장도조제효응모형,모의결과여실측적I-V특성교위문합.재기건설계초기,가이유효지예측기건적공작상태.
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