现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2009年
16期
25-27,31
,共4页
不匹配%模型%MOS放大器%工艺参数
不匹配%模型%MOS放大器%工藝參數
불필배%모형%MOS방대기%공예삼수
叙述模拟集成电路设计中关于MOS管不匹配特性的一些基本概念,以及随着加工尺寸的不断减小,MOS管所引起的一系列短沟道效应,进而描述整个MOS管模型的发展历史,以此说明一个精确模型对模拟电路设计的重要意义.然后进一步阐述因MOS管失配而引起电路性能变差,尤其是对整个D/A转换器性能的影响;进而采用改进技术,并对其进行了进一步验证.针对放大器引起的失调,介绍通过版图设计消除失配的原理,并且运用电路设计方法进行消除,采用TSMC0.25μm标准CMOS工艺参数对其进行仿真验证.针对D/A的电流源失配引起的电路性能变差,采用了电流源自校准技术,并对这种方法进行了仿真验证,取得了不错的成果.
敘述模擬集成電路設計中關于MOS管不匹配特性的一些基本概唸,以及隨著加工呎吋的不斷減小,MOS管所引起的一繫列短溝道效應,進而描述整箇MOS管模型的髮展歷史,以此說明一箇精確模型對模擬電路設計的重要意義.然後進一步闡述因MOS管失配而引起電路性能變差,尤其是對整箇D/A轉換器性能的影響;進而採用改進技術,併對其進行瞭進一步驗證.針對放大器引起的失調,介紹通過版圖設計消除失配的原理,併且運用電路設計方法進行消除,採用TSMC0.25μm標準CMOS工藝參數對其進行倣真驗證.針對D/A的電流源失配引起的電路性能變差,採用瞭電流源自校準技術,併對這種方法進行瞭倣真驗證,取得瞭不錯的成果.
서술모의집성전로설계중관우MOS관불필배특성적일사기본개념,이급수착가공척촌적불단감소,MOS관소인기적일계렬단구도효응,진이묘술정개MOS관모형적발전역사,이차설명일개정학모형대모의전로설계적중요의의.연후진일보천술인MOS관실배이인기전로성능변차,우기시대정개D/A전환기성능적영향;진이채용개진기술,병대기진행료진일보험증.침대방대기인기적실조,개소통과판도설계소제실배적원리,병차운용전로설계방법진행소제,채용TSMC0.25μm표준CMOS공예삼수대기진행방진험증.침대D/A적전류원실배인기적전로성능변차,채용료전류원자교준기술,병대저충방법진행료방진험증,취득료불착적성과.
