现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2007年
22期
69-71
,共3页
快速Spice仿真器%串扰%IR drop电迁移效应%DC-path泄漏
快速Spice倣真器%串擾%IR drop電遷移效應%DC-path洩漏
쾌속Spice방진기%천우%IR drop전천이효응%DC-path설루
现在的深亚微米工艺使用复杂的多层金属结构与先进电介质材料,随着工艺的进步,集成电路的器件尺寸越来越小,金属互连线做得越来越细,金属互连产生的寄生效应对电路性能的影响也越来越明显,各种各样的问题譬如由耦合电容产生了串扰噪声和延迟,IR drop引起的电压降,高电流密度引起的电迁移效应,以及混合信号设计中DC-path泄漏已经成为非常普遍的问题.对于整个芯片,在post-layout仿真时加上提取的寄生参数,有助于在设计中精确地分析每个寄生效应.快速Spice仿真器具有大的数据处理的容量和高的处理效率,因此这种仿真流程在设计中已经被广泛地应用.讨论如何在各种模式的仿真器(如UltraSim,NanoSim和HSIM)中选择合适的仿真器来进行post-layout仿真,以及不同的选择会有什么样不同的结果,另外还将对一些post-layout仿真结果进行分析.
現在的深亞微米工藝使用複雜的多層金屬結構與先進電介質材料,隨著工藝的進步,集成電路的器件呎吋越來越小,金屬互連線做得越來越細,金屬互連產生的寄生效應對電路性能的影響也越來越明顯,各種各樣的問題譬如由耦閤電容產生瞭串擾譟聲和延遲,IR drop引起的電壓降,高電流密度引起的電遷移效應,以及混閤信號設計中DC-path洩漏已經成為非常普遍的問題.對于整箇芯片,在post-layout倣真時加上提取的寄生參數,有助于在設計中精確地分析每箇寄生效應.快速Spice倣真器具有大的數據處理的容量和高的處理效率,因此這種倣真流程在設計中已經被廣汎地應用.討論如何在各種模式的倣真器(如UltraSim,NanoSim和HSIM)中選擇閤適的倣真器來進行post-layout倣真,以及不同的選擇會有什麽樣不同的結果,另外還將對一些post-layout倣真結果進行分析.
현재적심아미미공예사용복잡적다층금속결구여선진전개질재료,수착공예적진보,집성전로적기건척촌월래월소,금속호련선주득월래월세,금속호련산생적기생효응대전로성능적영향야월래월명현,각충각양적문제비여유우합전용산생료천우조성화연지,IR drop인기적전압강,고전류밀도인기적전천이효응,이급혼합신호설계중DC-path설루이경성위비상보편적문제.대우정개심편,재post-layout방진시가상제취적기생삼수,유조우재설계중정학지분석매개기생효응.쾌속Spice방진기구유대적수거처리적용량화고적처리효솔,인차저충방진류정재설계중이경피엄범지응용.토론여하재각충모식적방진기(여UltraSim,NanoSim화HSIM)중선택합괄적방진기래진행post-layout방진,이급불동적선택회유십요양불동적결과,령외환장대일사post-layout방진결과진행분석.
