现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2012年
8期
167-170
,共4页
吴璇%陈立%杨晋生%肖谧
吳璇%陳立%楊晉生%肖謐
오선%진립%양진생%초밀
静态随机存储器%双互锁存储单元%单粒子翻转%电路设计
靜態隨機存儲器%雙互鎖存儲單元%單粒子翻轉%電路設計
정태수궤존저기%쌍호쇄존저단원%단입자번전%전로설계
为了减轻辐射环境中静态随机存储器(SRAM)受单粒子翻转(SEU)的影响以及解决低功耗和稳定性的问题,采用TSMC 90 nm工艺,设计了一款可应用于辐射环境中的超低功耗容错静态随机存储器.该SRAM基于双互锁存储单元(DICE)结构,以同步逻辑实现并具有1 KB(1 K×8 b)的容量,每根位线上有128个标准存储单元,同时具有抗SEU特性,提高并保持了SRAM在亚阈值状态下的低功耗以及工作的稳定性.介绍了这种SRAM存储单元的电路设计及其功能仿真,当电源电压VDD为0.3V时,该SRAM工作频率最大可达到2.7 MHz,此时功耗仅为0.35 μW;而当VDD为1V时,最大工作频率为58.2 MHz,功耗为83.22 μW.
為瞭減輕輻射環境中靜態隨機存儲器(SRAM)受單粒子翻轉(SEU)的影響以及解決低功耗和穩定性的問題,採用TSMC 90 nm工藝,設計瞭一款可應用于輻射環境中的超低功耗容錯靜態隨機存儲器.該SRAM基于雙互鎖存儲單元(DICE)結構,以同步邏輯實現併具有1 KB(1 K×8 b)的容量,每根位線上有128箇標準存儲單元,同時具有抗SEU特性,提高併保持瞭SRAM在亞閾值狀態下的低功耗以及工作的穩定性.介紹瞭這種SRAM存儲單元的電路設計及其功能倣真,噹電源電壓VDD為0.3V時,該SRAM工作頻率最大可達到2.7 MHz,此時功耗僅為0.35 μW;而噹VDD為1V時,最大工作頻率為58.2 MHz,功耗為83.22 μW.
위료감경복사배경중정태수궤존저기(SRAM)수단입자번전(SEU)적영향이급해결저공모화은정성적문제,채용TSMC 90 nm공예,설계료일관가응용우복사배경중적초저공모용착정태수궤존저기.해SRAM기우쌍호쇄존저단원(DICE)결구,이동보라집실현병구유1 KB(1 K×8 b)적용량,매근위선상유128개표준존저단원,동시구유항SEU특성,제고병보지료SRAM재아역치상태하적저공모이급공작적은정성.개소료저충SRAM존저단원적전로설계급기공능방진,당전원전압VDD위0.3V시,해SRAM공작빈솔최대가체도2.7 MHz,차시공모부위0.35 μW;이당VDD위1V시,최대공작빈솔위58.2 MHz,공모위83.22 μW.
