现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2011年
10期
163-165,168
,共4页
田飞飞%吴郁%胡冬青%刘钺杨
田飛飛%吳鬱%鬍鼕青%劉鉞楊
전비비%오욱%호동청%류월양
器件建模%高压LDMOS%宏模型%栅电荷
器件建模%高壓LDMOS%宏模型%柵電荷
기건건모%고압LDMOS%굉모형%책전하
针对标准MOSFET的BSIM4模型在高压LDMOS建模及已有LDMOS紧凑模型的不足,提出一种LDMOS宏模型.在本研究中,借助Spectre软件分别对宏模型与BSIM4器件模型进行仿真,并对2种LDMOS器件模型下的CV结果进行对比,验证了宏模型对LDMOS器件模拟的准确性.最后,提出利用栅电荷曲线来进一步修正模型参数的新方法,并通过仿真获得更精确的LDMOS器件模型.该宏模型及栅电荷建模方法对于高压功率集成电路设计及仿真有重要意义.
針對標準MOSFET的BSIM4模型在高壓LDMOS建模及已有LDMOS緊湊模型的不足,提齣一種LDMOS宏模型.在本研究中,藉助Spectre軟件分彆對宏模型與BSIM4器件模型進行倣真,併對2種LDMOS器件模型下的CV結果進行對比,驗證瞭宏模型對LDMOS器件模擬的準確性.最後,提齣利用柵電荷麯線來進一步脩正模型參數的新方法,併通過倣真穫得更精確的LDMOS器件模型.該宏模型及柵電荷建模方法對于高壓功率集成電路設計及倣真有重要意義.
침대표준MOSFET적BSIM4모형재고압LDMOS건모급이유LDMOS긴주모형적불족,제출일충LDMOS굉모형.재본연구중,차조Spectre연건분별대굉모형여BSIM4기건모형진행방진,병대2충LDMOS기건모형하적CV결과진행대비,험증료굉모형대LDMOS기건모의적준학성.최후,제출이용책전하곡선래진일보수정모형삼수적신방법,병통과방진획득경정학적LDMOS기건모형.해굉모형급책전하건모방법대우고압공솔집성전로설계급방진유중요의의.
