科技信息
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과기신식
SCIENTIFIC & TECHNICAL INFORMATION
2010年
13期
21-22,274
,共3页
离子注入%蒙特卡罗模拟%种子%深度-浓度分布
離子註入%矇特卡囉模擬%種子%深度-濃度分佈
리자주입%몽특잡라모의%충자%심도-농도분포
采用MonteCarlo方法,模拟计算了能量在20-200keV之间的V+注入花生种子的深度-浓度分布.核碰撞能量损失采用经典的两体碰撞理论,电子能量损失用Lindhard-Schaff公式,结果表明理论模型建立相对合理,低能重离子的电子能量损失相对较小可以忽略,200keVV+离子在花生种子中的平均射程为6.16ìm,并对理论和实验结果的差异进行了分析.
採用MonteCarlo方法,模擬計算瞭能量在20-200keV之間的V+註入花生種子的深度-濃度分佈.覈踫撞能量損失採用經典的兩體踫撞理論,電子能量損失用Lindhard-Schaff公式,結果錶明理論模型建立相對閤理,低能重離子的電子能量損失相對較小可以忽略,200keVV+離子在花生種子中的平均射程為6.16ìm,併對理論和實驗結果的差異進行瞭分析.
채용MonteCarlo방법,모의계산료능량재20-200keV지간적V+주입화생충자적심도-농도분포.핵팽당능량손실채용경전적량체팽당이론,전자능량손실용Lindhard-Schaff공식,결과표명이론모형건립상대합리,저능중리자적전자능량손실상대교소가이홀략,200keVV+리자재화생충자중적평균사정위6.16ìm,병대이론화실험결과적차이진행료분석.
