现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2009年
2期
1-3
,共3页
李德君%代月花%陈军宁%柯导明%胡媛
李德君%代月花%陳軍寧%柯導明%鬍媛
리덕군%대월화%진군저%가도명%호원
非易失性存储器%电阻转变特性%存储单元结构%1T1R
非易失性存儲器%電阻轉變特性%存儲單元結構%1T1R
비역실성존저기%전조전변특성%존저단원결구%1T1R
为进一步确定阻变型非易失性存储器的擦写速度、器件功耗和集成度等实用化的性能指标,设计RRAM存储器单元电路结构,并使用HSpice软件分别对RRAM存储器单元结构电路的延时和功耗性能进行仿真.同时,通过仿真对双极型和单极型两种电阻转变类型及器件工艺进行比较和分析,确定1T1R结构电路单元适用于双极型阻变型非易失性存储器件,并且电路仿真的结果为阻变型非易失性存储器的进一步实用化提供了参考.
為進一步確定阻變型非易失性存儲器的抆寫速度、器件功耗和集成度等實用化的性能指標,設計RRAM存儲器單元電路結構,併使用HSpice軟件分彆對RRAM存儲器單元結構電路的延時和功耗性能進行倣真.同時,通過倣真對雙極型和單極型兩種電阻轉變類型及器件工藝進行比較和分析,確定1T1R結構電路單元適用于雙極型阻變型非易失性存儲器件,併且電路倣真的結果為阻變型非易失性存儲器的進一步實用化提供瞭參攷.
위진일보학정조변형비역실성존저기적찰사속도、기건공모화집성도등실용화적성능지표,설계RRAM존저기단원전로결구,병사용HSpice연건분별대RRAM존저기단원결구전로적연시화공모성능진행방진.동시,통과방진대쌍겁형화단겁형량충전조전변류형급기건공예진행비교화분석,학정1T1R결구전로단원괄용우쌍겁형조변형비역실성존저기건,병차전로방진적결과위조변형비역실성존저기적진일보실용화제공료삼고.
