现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2011年
10期
149-151
,共3页
SRAM%BIST%March C+算法%故障模型
SRAM%BIST%March C+算法%故障模型
SRAM%BIST%March C+산법%고장모형
为了增加存储器测试的可控性和可观测性,减少存储器测试的时间和成本开销,在此针对LEON处理器中的32位宽的SRAM进行BIST设计.采用March C+算法,讨论了SRAM的故障模型及BIST的实现.设计的BIST电路可以与系统很好的相连,并且仅增加很少的输入/输出端口.仿真结果证明,BIST的电路的加入在不影响面积开销的同时,能够达到很好的故障覆盖率.
為瞭增加存儲器測試的可控性和可觀測性,減少存儲器測試的時間和成本開銷,在此針對LEON處理器中的32位寬的SRAM進行BIST設計.採用March C+算法,討論瞭SRAM的故障模型及BIST的實現.設計的BIST電路可以與繫統很好的相連,併且僅增加很少的輸入/輸齣耑口.倣真結果證明,BIST的電路的加入在不影響麵積開銷的同時,能夠達到很好的故障覆蓋率.
위료증가존저기측시적가공성화가관측성,감소존저기측시적시간화성본개소,재차침대LEON처리기중적32위관적SRAM진행BIST설계.채용March C+산법,토론료SRAM적고장모형급BIST적실현.설계적BIST전로가이여계통흔호적상련,병차부증가흔소적수입/수출단구.방진결과증명,BIST적전로적가입재불영향면적개소적동시,능구체도흔호적고장복개솔.
